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매그나칩, High Voltage Super Junction MOSFET 출시
Date : 2018/10/15

 매그나칩, High Voltage Super Junction MOSFET 출시

- 산업 및 조명용 Application에 적합한 900V 항복전압과 낮은 총 게이트 전하량(Qg) 특성 보유 -


아날로그 및 혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션의 설계 및 제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 900V 항복전압(Breakdown Voltage)과 낮은 총 게이트 전하량(Total Gate Charge: Qg) 특성을 가진 High Voltage Super Junction MOSFET (“90R1K4P”)을 출시했다고 밝혔다. I-PAK과 D-PAK 두 가지 패키지 유형을 갖춘 이번 제품은 올해 11월 고객에게 샘플 제공이 가능하고, 내년 1분기 양산이 가능할 예정이다.

90R1K4P 제품은 최대 피크 전압이 950V이며, 900V의 놓은 항복전압 특성을 가지고 있어 시스템의 안정성과 신뢰성을 높일 수 있다. 이를 통해, 다음과 같은 고전압 Application에 적용이 가능하다.

● 3상 입력 전원을 사용해, 교류 발전, 송전 및 배전을 하는 산업용 스마트 계량을 위한 보조 전원 공급 장치
● AC/DC 및 DC/DC 고속 스위칭 컨버터에서 Flyback Topology 조명
● 불안정한 시스템 상태(정전 등)를 방지하는 높은 안정성 특성을 바탕으로 조명 장비 용 전원 공급 장치

이번 제품은 총 게이트 전하량(Total Gate Charge: Qg)이 낮기 때문에, On/Off 스위칭 속도가 빨라 시스템의 발열을 낮추고, 전력 손실을 줄여 에너지 효율성이 높다. 또한, 이번 High Voltage Super Junction MOSFET은 동일한 크기의 온저항 조건에서 High Voltage Planar MOSFET 대비 50 % 이상 사이즈가 작기 때문에 더 작은 크기 구현이 가능하다.

보다 작은 크기의 Application에서 90R1K4P 제품을 사용할 수 있도록, 매그나칩은 소형 I-PAK 패키지 유형에 탑재해 “Code: MMIS90R1K4P”로 출시 예정이다. 이 제품은 크기를 최소화하고, I-PAK 패키징 타입에 탑재됨으로써, 보다 광범위한 애플리케이션에 채택 될 수 있을 것으로 기대된다.

또한 차지하는 공간이 매우 중요한 Application에서 90R1K4P 제품을 활용할 수 있도록 Super Junction MOSFET을 슬림형 SMD (Surface-Mount Devices) 패키지 유형 인 D-PAK에 탑재한 “Code: MMD90R1K4P”도 향후 출시 예정이다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “매그나칩의 High Voltage Super Junction MOSFET 제품은 높은 항복전압과 낮은 총 게이트 전하량(Qg) 특성으로 고객에게 높은 시스템 신뢰성과 에너지 효율성을 제공할 것”이라며, “매그나칩은 이번에 출시한 High Voltage Super Junction MOSFET을 바탕으로 지속적인 제품 개발을 통해, 보다 성능이 우수한 다양한 Super Junction MOSEFT 제품 Portfolio를 구축해 나갈 계획”이라고 밝혔다.
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