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매그나칩, 3세대 0.18micron BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정 기술 제공
Date : 2018/12/20

매그나칩, 3세대 0.18micron BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정 기술 제공


아날로그 및 혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션의 설계 및 제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 파운드리 고객들에게 3세대 0.18micron BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정 기술을 제공한다고 밝혔다. 이번 공정 기술은 PMIC, DC-DC 컨버터, 배터리 충전기 IC, 보호용 IC, 모터 드라이버 IC, LED 드라이버 IC 및 Audio Amplifier에 매우 적합한 기술이다. 이번 3세대 0.18micron BCD 공정 기술은 제조 공정을 단순화하고, Power LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)의 Rsp (Specific On-Resistance)를 개선해 최대 40V에서까지 동작이 가능하다.

하나의 칩에 다양한 기능을 탑재하는 방식으로 전력 모듈에 들어가는 부품 수를 줄이기 위해서, BCD 기술로 처리되는 고성능의 전력 효율성 높은 Power IC에 대한 수요가 지속적으로 증가하고 있다. BCD 기술 중에서는 낮은 Rsp LDMOS 특성을 가진 BCD 기술이 Power IC의 칩 사이즈와 전력 손실을 줄이는 데 도움이 되기 때문에, Power LDMOS의 Rsp 특성이 성능을 가늠하는 핵심 지표다. 매그나칩은 지난 10년 간 Power LDMOS의 Rsp를 향상시켜 왔으며, 이번 3세대 0.18micron BCD 공정은 공정 자체와 소자 아키텍처 최적화를 통해 기존 세대 공정에 비해 Rsp를 약 30% 감소 시켰다.

BCD 기술 요구 사항은 애플리케이션이나 IC의 설계 방식에 따라 다양하다. 이렇게 다양한 요구 조건을 충족하기 위해, 매그나칩은 1.8V, 5V 그리고 12~40V 트랜지스터들을 다양한 방식으로 통합할 수 있는 모듈러 공정 개념을 도입했다. 매그나칩은 기존의 소자 조합에 더해, 특정 동작 전압 범위에 최적화된 맞춤형 LDMOS 소자와 엄격하고 낮은 동작 전압 한계와 고주파에서 동작하는 낮은 Vgs(Gate와 Source간 Bias)의 LDMOS 소자를 포함한 새로운 소자들 2019년 출시 예정이다.

3세대 BCD 공정은 설계 통합과 유연성 강화를 위해, 다양한 옵션 소자를 제공한다. 옵션 소자는 고성능 Bipolar Transistor, Zener Diode, Photo Layer가 추가되지 않은 고저항 Poly Resistor, 저온 계수의 Tantalum Nitride Resistor, Metal-Insulator-Metal Capacitor, Metal-Oxide-Metal Capacitor, Electrical Fuse및 Multi-Time Programmable Memory 등 이다.

3세대 BCD 공정 기술은 자동차용 애플리케이션처럼, 더욱 까다로운 신뢰성이 요구되는 상황에서도 Power IC 지원이 가능하도록 -40℃~ 125℃ 온도 조건의 전장급(자동차 동작 가능 수준) 품질인증 기준 AEC-Q100에서 1등급 인증을 획득했다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “낮은 Rsp의 이번 3세대 0.18micron BCD 공정은 칩 사이즈를 줄이고 전력 효율성 개선에 기여함으로써, 다양한 Power IC 애플리케이션에 매우 적합할 것”이라며, “매그나칩은 지속적인 BCD 기술 성능의 향상을 통해, 고객들의 제품 경쟁력 향상에 기여해 나갈 것”이라고 말했다.

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