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매그나칩, CMOS 혼성신호 고집적 커패시터 공정기술 개발
Date : 2011/09/12


매그나칩, CMOS 혼성신호 고집적 커패시터 공정기술 개발



매그나칩은 자사의 표준 CMOS 혼성신호 공정기술과 통합 가능한 고집적 금속-절연체-금속 커패시터(high density metal-insulator-metal capacitor) 및 딥트렌치 커패시터(deep trench capacitor) 공정기술을 개발했다고 밝혔다.

4종의 정전용량(4, 6, 8, 10fF/um2)을 제공하는 금속-절연체-금속 커패시터 공정기술은 고유전 유전막(high dielectric constant material layer) 사용을 통해 기존의 질화규소 절연막(silicon nitride insulator layer)을 대체했으며, 누수 전류를 최소화해 단위 면적당 보다 높은 정전용량을 얻을 수 있는 장점이 있다. 또한, 소자의 단위 면적을 크게 줄임으로써, 전하 축적량을 높이고 소자간 신호 대비 잡음 비율을 크게 낮췄다.

한편, 실리콘 기판에 작은 딥트렌치(deep trench)들이 묶음으로 장착된 3-D 형태의 딥트렌치 커패시터 공정기술은 22fF/um2의 높은 정전용량 및 25V의 파괴전압을 지니고 있다. 이 기술은 빠른 스위칭 속도가 필요한 애플리케이션에 적합하며, 2011년 12월부터 제품 양산에 들어갈 예정이다.

매그나칩 이태종 전무는 “고집적 금속-절연체-금속 커패시터 및 딥트렌치 커패시터와 같이 혼성신호 애플리케이션에 특화된 커패시터 공정기술을 제공하게 되어 기쁘다”며, “향후 고객의 니즈에 맞춰 차별화되고 경쟁력 갖춘 공정기술을 지속적으로 개발할 계획이다”라고 말했다.

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