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매그나칩, 대만 eMemory와 0.18um EEPROM IP 공동 개발
Date : 2012/12/04

매그나칩, 대만 eMemory와 0.18um EEPROM IP 공동 개발


매그나칩반도체(대표이사 박상호)는 Embedded NVM IP 전문기업인 대만의 eMemory와 0.18um EEPROM IP를 공동 개발한다고 밝혔다. 이번 개발을 통해 양사는 팹리스 기업들에게 보다 경쟁력 있는 Embedded NVM IC 설계 솔루션을 제공할 수 있게 되었다.

매그나칩이 보유한 Side-Wall Selective Transistor Cell(SSTC) 구조에 기반을 둔 0.18um EEPROM 공정은 Cell 크기 축소를 통해 Touch IC 애플리케이션에 최적화된 것으로, 1.8V, 1.8V+3.3V, 1.8V+5.0V 등 다양한 전압에서 구동가능하며, 저전력 소비, 빠른 속도의 성능 구현 및 광범위한 온도에서 작동하는 점이 특징이다.

2013년 0.18um EEPROM IP 제공을 목표로, 현재 IP 설계의 초기 공정 검토를 완료한 상태이며, 주요 특성은 10년 이상의 데이터 유지기간과 10만 건 이상의 기록 횟수 이다.

eMemory의 릭쉔(Rick Shen)사장은 “양사는 지난 수년간 협력을 통해 OTP 공정 적용을 성공적으로 완료했다”며, “이번 EEPROM IP로 협력범위를 확대함으로써 Embedded NVM 기술을 기반으로 한 애플리케이션의 범위와 제품 포트폴리오를 늘리게 됐다”고 말했다.

한편, 매그나칩 박남규 상무는 “EEPROM IP 업계 선두기업인 eMemory와 협력관계 확대를 통해 팹리스 기업들에게 보다 다양한 NVM 솔루션을 제공하게 됐다”며, “파운드리 고객들의 니즈를 만족시키기 위해 이 같은 노력을 지속할 것”이라고 말했다.

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