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매그나칩, 차세대 0.35um 고전압 BCD 공정기술 제공
Date : 2013/01/08

매그나칩, 차세대 0.35um 고전압 BCD 공정기술 제공


매그나칩반도체(이하 매그나칩)는 모바일 및 컨슈머시장을 겨냥한 차세대 0.35um BCD (Bipolar/CMOS/DMOS) 고전압 공정기술을 제공한다고 밝혔다.

3.3V에서 65V까지 지원 가능한 이번 공정기술은 DC-DC Converter/Regulator, Power-over-Ethernet, LED Driver, Level Shifter, Audio Amplifier, AC-DC Controller/Converter, Micro-Converter, Micro-Inverter, PMIC 등 다양한 비메모리 반도체 생산에 필요한 고전압 고부가가치 공정기술이다.

특히, 이번 공정기술은 기존 공정 대비 MOSET의 Rsp (Specific on Resistance)를 20~35% 낮춰, 다양한 신뢰성 수준에 맞도록 Rsp를 최적화한 DMOS 소자 선택이 가능한 점이 특징이다.
또한, 매그나칩 독자 기술인 DTI (Deep-trench Isolation)의 DMOS Isolation 개선 및 Rsp 저항 감소를 실현해 신뢰성을 강화함으로써 파운드리 고객에게 보다 작은 크기의 고성능 제품을 제공할 수 있게 되었다.

이와 함께, MTP (Multi-time Programmable), High-reliability Non-volatile Memory Cells, OTP Cells (One-time Programmable Cells), High Capacitance per Unit Area, Metal-insulator-metal Capacitor, Copper Wire Bonding, Thick Top Metal, Redistribution Layer 등 다양한 공정 옵션을 제공함으로써 설계 유연성 및 비용 경쟁력을 높였다.

매그나칩 박남규 상무는 “팹리스 고객들의 니즈에 맞춰 모바일 및 컨슈머 시장에 최적화된 차세대 0.35um BCD 고전압 공정기술을 제공하게 됐다”며, "앞으로도 지속적인 공정기술 개선을 통해 BCD 기술 포트폴리오를 확대해 나갈 것” 이라고 말했다. 끝.

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