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매그나칩, 0.35um SOI기반 BCD 공정기술 제공
Date : 2013/10/21

매그나칩, 0.35um SOI기반 BCD 공정기술 제공


아날로그 및 혼성신호 전문기업 매그나칩반도체(대표:박상호, NYSE:MX)는 SOI(Silicon-On-Insulator)에 기반한 새로운 0.35um(micron) BCD(Bipolar–CMOS-DMOS) 고전압 공정기술을 제공한다고 밝혔다. 이번 신규 공정기술은 모바일 및 소비자 시장용 Audio amp, DC-DC Converter와 PMIC 등의 제품을 위한 8V에서 16V까지의 완전히 절연된 고전압 소자가 SOI Substrate에 구현되는 것이 특징이다.

이번 공정은 디지털, 혼성신호와 아날로그 회로용 표준 3.3V와 5V CMOS소자 역시 지원한다. 8V에서 16V의 고전압 소자는 Power Stage가 필요한 애플리케이션을 위해, 낮은 Rsp(Specific on-Resistance)와 Capacitance를 갖도록 최적화되었다. CMOS와 고전압 장치들을 DTI(Deep Trench Isolation)와 함께 SOI Substrate에 통합 구현함으로써, 절연과 소자면적, Substrate leakage을 최소화하고, Radiation Hardness와 고온 작동성능이 개선되었다. 또한, 이를 통해 단극 및 양극(양음 전원 공급) 출력 특성을 가지면서, Latch-up 없이 작동하는 PMIC 설계가 가능해 진 것이 특징이다.

매그나칩반도체 박남규 전무는 "SOI Substrate에 기반한 0.35um BCD 고전압 공정기술 솔루션을 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다”며, “SOI에 기반한 BCD 포트폴리오를 보다 다양한 전압으로 확대해, 이 공정의 절연 특성의 혜택을 볼 수 있는 다양한 성장 제품시장을 지원해 나갈 계획이다.”고 밝혔다.
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매그나칩, YMC사와 0.35um & 0.18um MTP-IP 솔루션 제공
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