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매그나칩, 0.13micron 1.5/2.5V RF SOI 공정 출시
Date : 2016/01/04

매그나칩반도체, 0.13micron 1.5/2.5V RF SOI 공정 출시


아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 0.13micron 1.5/2.5V RF Silicon on Insulator(SOI) 공정을 출시한다고 밝혔다. 매그나칩의 0.13micron RF SOI 공정은 1.5V 및 2.5V 소자를 동시에 지원하는 Dual-gate 공정으로, 일반 웨이퍼에 비해 뛰어난 RF 성능을 보이는 Trap-rich Thin-Film SOI 웨이퍼를 사용하고 있다.

스위치, 튜너 및 Low Noise Amplifiers(LNA)는 Front-End Modules(FEM)의 핵심 구성 요소로, 매그나칩의 이번 0.13micron RF SOI 공정은 안테나 스위치와 튜너 설계에 최적화되어 있을 뿐 아니라, 효율적인 LNA설계를 지원한다. 또한, 매그나칩의 0.13micron RF SOI 공정은 합리적인 양산 비용과 함께 경쟁력 있는 성능을 보여주고 있어, 이동전화 및 Wi-Fi분야에서 경쟁력을 갖추고 있는 것이 특징이다.

매그나칩의 2.5V 스위치 소자 공정은 Ron*Coff가 210fs로 타사와 대등한 수준의 성능을 자랑하고 있으며, Noise Figure model을 포함하는 1.5V CMOS도 지원해 경쟁력 있는 Logic 설계가 가능하다. 매그나칩의 CMOS 공정은 Body-contacted 및 Floating-body의 두 가지 형태를 지원해 유연한 제품 설계가 가능한 것이 특징이다. 여기에 3가지 형태의 Inductor를 비롯, 2.0fF/micron MiM Capacitor, NMOS Varactor, 1.6Kohm/sq. High-R Poly Resistor 및 Poly/Diffusion Resistor등을 지원한다. 경쟁력 있는 2.5V CMOS 소자만 사용하기를 원하는 고객을 위한 2.5V Single-gate 공정도 제공하고 있으며, High-Voltage 소자를 필요로 하는 고객을 위한 5V 및 20V 소자 지원도 준비 중이다.

매그나칩 FSG(Foundry Services Group) 이태종 부사장은 “고성능과 높은 비용 효율성을 결합한 0.13micron 1.5/2.5V RF SOI공정을 제공하게 된 것을 매우 기쁘게 생각한다,”며 “글로벌 고객의 늘어나고 있는 니즈에 부응할 수 있도록, 지속적으로 RF SOI 공정을 확대해 나갈 것” 이라고 밝혔다.
 
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