– 3 款新型 200V MV MOSFET 将帮助公司在 LEV 电机控制器和工业电源领域扩大其全球市场份额
韩国首尔，2022 年 9 月 6 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司推出了其第三代 200V 中压 (MV) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，此款产品适用于轻型电动车辆 (LEV) 电机控制器和工业电源。
为了最大限度地提高电源设备的能效，美格纳的新型 200V MOSFET 融入了第三代沟槽 MOSFET 技术。与先前版本的 100V MV MOSFET 相比，此款产品的电容量降低了 50%，并且晶胞和封端的设计得到增强，有助于降低 RDS(on)* 和总栅极电荷量 **，展现出本产品的高品质因数。
这些第三代 MOSFET 还适用于表面贴装的 TO-Leadless (TOLL)、M2PAK 封装和通孔类型的 TO-220，可降低产品尺寸并增强散热能力。此外，由于可进行快速开关并且具有高功率密度，这些 MOSFET 的能效得到进一步增强。加上从 -55°C 到 175°C 的工作结温和出色的雪崩能力，这些 MOSFET 非常适用于需要高能效且稳定供电的 LEV 电机控制器和工业电源。
据全球市场调研公司 Omdia 估测，在全球硅电源 MOSFET 市场中，汽车和工业领域的年增长率从 2020 年到 2025 年将分别为 11.5% 和 9.6%。特别是，为了加快碳减排以及对高能效经济型车辆需求的提升，LEV 市场正在快速扩大。
“汽车和工业领域中先进应用的开发推动了对高性能 MV MOSFET 需求，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“美格纳将持续升级 MV MOSFET 产品线，包括从 40V 到 200V 的整个产品范围，以支持我们的客户增强其产品竞争力。”
*RDS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值
**总栅极电荷量 (Qg)：需要注入栅电极以开启（驱动）MOSFET 的电荷量
产品特性
- 低 RDS(on) 和开关损耗
- 出色的散热性能
- 从 -55°C 到 175°C 的工作结温
- 适用于各种应用，例如 LEV、电源管理系统和开关电源
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关于美格纳半导体
美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。
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