韩国首尔，2023 年 7 月 10 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了四款新型 MXT LV 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)*，这些产品使用超短通道技术而打造，进一步扩大了美格纳面向移动设备电池保护电路的第 7 代 MXT LV MOSFET 阵容。
第 7 代 MXT LV MOSFET 系列
超短通道是美格纳的最新设计技术，通过缩短源极与漏极之间的通道长度，降低 Ron（MOSFET 在通态运行期间的电阻）。相比前几代产品，这些新款 MOSFET 的 Ron 降低了 24~40%，因而电池充放电时的功率损失低，提高了电池的性能。
此外，美格纳还可以根据具体的应用规格和电池容量，为这些产品提供定制的设计服务，这样 MOSFET 的尺寸可以分别降低 5% 到 20%。
凭借这样的技术实力、灵活的设计和可选的紧凑尺寸，扩大的 MXT LV MOSFET 阵容能够满足各种移动设备的不同技术要求，无论是高端折叠手机还是无线耳机。
“今年到目前为止，美格纳已发布了面向电池保护电路的五款新型 MXT LV MOSFET，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“我们将继续打造高端 MOSFET，助力移动设备实现出色的电源效率和优异的性能，进而巩固我们的市场地位。”
* MXT LV MOSFET（美格纳极限沟槽低压 MOSFET）：美格纳的 12~40V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。
产品特性
- 第 7 代硅沟槽技术
- 相比前几代产品，Ron 降低了约 24%~40%
- 较低的总栅极电荷量提高了开关速度
- 出色的散热性能
- 适用于各种移动设备的解决方案
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关于美格纳半导体
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