韩国首尔，2024 年 10 月 28 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司将扩大其第 7 代MXT LV MOSFET1 产品系列的生产，这款产品基于美格纳的超短沟道 FET (SSCFET®) 技术设计。
随着移动设备变得越来越先进，对具有低2RSS(on) 2 的紧凑型低压 (LV: Low Voltage) MOSFET 的需求持续增长。美格纳的 MXT LV MOSFET 产品系列采用 SSCFET® 技术，具备出色的低 RSS(on) 性能。此技术可在通态运行期间显著缩短源极与漏极之间的沟道长度，从而有效提升电池性能和效率、延长电池寿命并减少发热问题。
此外，该系列 MXT LV MOSFET 采用薄至 100 微米的晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 技术制造，提升了设计的灵活性。因此，这些产品非常适合各种移动设备，包括智能手机、智能手表、无线耳机和下一代环形设备。
得益于经实践检验的高质量产品以及可靠的供应能力，美格纳的 MXT LV MOSFET (MDWC0151ERH) 已集成到全球主要智能手机制造商的高端智能手机型号中。而且，MDWC12D025ERH 现在也应用于该制造商的大量中端型号中。在 2024 年的前三季度中，与去年同期相比，MXT LV MOSFET 产品系列的生产增长了约 120%。
“美格纳已与全球主要智能手机制造商建立了牢固的合作关系”，美格纳首席执行官金荣俊说。“通过持续的技术开发和创新，我们将进一步增强 MXT LV MOSFET 产品系列的技术水平，这些产品不仅面向移动设备市场，还将面向各种电池供电的设备，例如电动自行车、滑板车、电子烟和无人机等。”
1 MXT LV MOSFET（美格纳极限沟槽低压 MOSFET）：美格纳的 12~40V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。
2 RSS(on):通态电阻; 即两个受保护的 MOSFET 在工作期间 (ON) 的源极之间电阻值。
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