Touch Sensing Application용 0.18um Embedded EEPROM 공정 신규 개발
매그나칩반도체는 0.18um 임베디드 EEPROM 고전압 옵션 공정을 선보인다고 밝혔다. 이번 공정은 터치 센싱 IC 성능에 중요한 SNR(Signal to Noise Ratio)을 개선해 노이즈 내성을 향상시킨 점이 특징이다.
최근 스마트폰, 태블릿 PC의 슬림한 설계 트렌드로 인해 Form Factor가 작아짐에 따라, 전자회로가 내부 및 외부 전기 노이즈에 취약한 경우가 발생한다. 특히, 모바일 장치의 노이즈 원인으로는 반도체 부품간 인접성, 배터리 충전기, 심지어는 온도나 습도와 같은 외부 요인 등이 꼽히고 있다.
이 같은 요인에 의한 원하지 않은 전기 노이즈 발생은 의사 신호를 생성해 센싱 회로에 False Touch를 야기하게 되는데, 이 때 매그나칩 0.18um 임베디드 EEPROM 고전압 옵션 공정기술을 이용하면 시그널 대비 노이즈 특성을 개선해 IC 설계의 기능과 성능을 향상시킬 수 있다.
이번 신규 공정은 캐페시터와 20V 트랜지스터를 이용해 개발됐으며, 기존 0.18um EEPROM의 로직 특성을 저해하지 않는 방식으로 이뤄져, 터치 센싱 IC 애플리케이션에 매우 적합하다. 앞으로, 매그나칩은 2013년 공급을 목표로, 화면이 큰 모바일 애플리케이션에 적당한 30V 공정을 추가 개발할 계획이다.
매그나칩 파운드리 마케팅 박남규 상무는 “파운드리 고객의 다양한 애플리케이션에 맞는 공정 제공을 위해 지속적인 신규 공정 개발을 이어갈 것”이라고 말했다. 끝.
