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– 美格纳的第 8 代 150V MXT MOSFET 具备更低的 R_DS(on) 并采用 TOLL 封装，支持高效管理电机控制器和电池管理系统

 

韩国首尔，2022 年 12 月 29 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司推出了其第 8 代 150V MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)¹， 此款产品为轻型电动车辆 (LEV) 电机控制器和电池管理系统 (BMS)优化而成。

电子设备的能效对于降低功耗和提高产品稳定性至关重要。这款新发布的 MOSFET (MDT15N054PTRH) 采用美格纳的第 8 代沟槽 MOSFET 技术，与上一代产品相比，R_DS(on)² 降低了 28%。基于芯片和封装框架的增强设计，本产品具有高品质因数，并且可以避免总栅极电荷量³ 增加。

MDT15N054PTRH 适用于贴片 TO-Leadless (TOLL) 封装，可降低产品尺寸并改善散热效果。由于可进行快速开关并且支持高功率密度，因此能效也得到极大增强。此外，从 -55°C 到 175°C 的工作结温和较强的抗雪崩能力，助力该新款 MXT MOSFET 超出轻型电动车辆电机控制器和电池管理系统的性能要求。

“自 2008 年以来，我们已发布面向电机控制器和电池管理系统的超过 40 款 MOSFET 产品，2017 年起的大多数产品均为轻型电动车辆应用而打造。”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“作为高性能 MOSFET 的供应商，美格纳将继续提供满足市场复杂要求的创新性解决方案。”

 

产品特性

• 低 R_DS(on) 和开关损耗
• 出色的散热性能
• 从 -55°C 到 175°C 的工作结温
• 适用于广泛应用，例如 轻型电动车辆电机控制器和电池管理系统以及各种消费电子产品的开关模式电源

 

 

 

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^【1】 MXT MOSFET（美格纳极端沟槽 MOSFET）：美格纳的前沿沟槽 MOSFET 产品组合，包括中低压 MOSFET

^【2】 R_DS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值

^【3】 总栅极电荷量 (Q_g)：需要注入栅电极以打开（驱动）MOSFET 的电荷量

 

相关链接

电源解决方案 > MV MOSFETs > 150V

 

关于美格纳半导体

美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

 

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