– RDS(on) 低至 1.4 毫欧的 40V MXT MOSFET 助力汽车实现有效的动能回收
韩国首尔，2023 年 6 月 12 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司已开始量产面向汽车能量回收系统的新款 40V MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 1 。本产品已用于一家全球性汽车制造商生产的汽车中。
汽车能量回收系统可在制动时存储车辆的动能，然后将回收的能量用于空调或音响系统等各种功能。因此，该系统将改善燃油经济性和降低碳排放。
40V MXT MOSFET (AMDU040N014VRH) 基于功率双边扁平无引脚 (PDFN) 56 封装制造，具备增强的晶胞和封端设计，可实现低至 1.4 毫欧的 RDS(on)2，将提高动能回收的效率。此外，高至 175°C 的工作结温和较强的抗雪崩能力，提升了能量回收系统的功率密度和效率。
相对于其他采用封装 (DPAK) 设计的 40V MOSFET 产品，应用 PDFN56 封装的此新款 MOSFET 的尺寸降低了约 80%。PDFN56 封装广泛用于汽车领域中，因此这款新产品非常适合各种应用，例如内燃机的反向电压保护电路和无刷直流电机，以及电动车辆的再生制动系统。
“我们很高兴再次推出创新性的汽车电源解决方案，新的解决方案具备卓越的性能和可靠性，完全符合 AEC – Q101 标准，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“秉持我们的创新技术传统，美格纳将继续开发高端产品，满足汽车市场不断变化的各种要求。”
【1】 MXT MOSFET（美格纳极端沟槽 MOSFET）：美格纳的前沿沟槽 MOSFET 产品组合，包括中低压 （12V to 200V）MOSFET
【2】 RDS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值
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