– 新款 40V MXT MV MOSFET 经优化用于汽车电机和低功率控制系统,具有紧凑的外形和低栅极阈值电压

 

韩国首尔,2024 9 9 Magnachip Semiconductor Corporation(以下简称“美格纳”或“公司”)(NYSE:MX)当日宣布,公司发布了面向汽车应用的四款新型 40V 1)MXT MV MOSFET,这些产品采用功率双边扁平无引脚 (PDFN) 33 封装设计。

 

 

随着自动驾驶和信息娱乐系统这类汽车技术的进步,车辆中安装的电机的数量和种类越来越多。因此,为了高效驱动这些电机,功耗低、外形紧凑且重量轻的高性能 MOSFET 越来越重要。

美格纳新发布的 40V MXT MV MOSFET 采用 PDFN33 封装,相比于采用 PDFN56 封装的 40V MOSFET 产品,面积缩小超过 60%,重量降低约 75%。新产品更适合对性能、燃油效率和空间灵活性要求高的汽车电机及低功率控制系统。

在这些新产品中,三个型号(AMDV040N029LVRHAMDV040N036LVRH AMDV040N042LVRH具有 1.8V 的低栅极阈值电压。栅极阈值电压决定了 MOSFET 从关断切换到导通的时间点。更低的阈值电压将降低运行 MOSFET 所需的能量,从而降低系统的总体功耗。

四款新型汽车 40V MXT MV MOSFET 的关键规格如下:

 

 

“随着这些新产品的发布,美格纳进一步增强了其汽车电源产品阵容,这些产品的设计可满足汽车零部件行业的各种需求,”美格纳首席执行官金荣俊说。“我们将继续通过技术创新和稳定的产品供应,扩展我们在这个不断发展的市场中的全球份额。”

 

 

 


1MXT MV MOSFET(美格纳极限沟槽中压 MOSFET):美格纳的 40~200V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

2RDS(on):MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻。

 

相关链接

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