– 新款 30V MXT LV MOSFET 采用先进的沟槽 MOSFET 技术开发，确保为电动助力转向系统提供可靠的电源供给
韩国首尔，2023 年 12 月 18 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司已开始全面量产其新款 30V MXT LV 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)*，此款产品适用于电动助力转向 (EPS) 系统的电子控制单元 (ECU)。本 MOSFET 产品已用于一家全球性汽车制造商生产的汽车中。
美格纳的新款 30V MXT LV MOSFET
新款 30V MXT LV MOSFET 为 EPS 提供可靠的电源，帮助车辆通过电动机进行方向控制。本产品还符合严格的 AEC-Q101 标准，保证工作结温宽幅范围于 -55°C 到 175°C 内。
新产品在厚栅极氧化物中融入了先进的沟槽 MOSFET 结构，能够提供低阻抗和出色的开关特性。这些特点降低了应用中的开关噪音，提高了系统性能和电源效率。此外，通过应用 3.3 毫米 x 3.3 毫米的 PDFN 33 封装，降低了产品尺寸，使 ECU 有了灵活的设计选择。
“美格纳面向 EPS 的新款紧凑型和高度可靠的 MOSFET 展示了我们出色的技术能力，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“我们将利用创新性的电源解决方案和严格的质量控制程序积极拓展汽车行业市场。”
* MXT LV MOSFET（美格纳极限沟槽低压 MOSFET）：美格纳的 12~40V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。
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