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– 美格纳推出面向电动汽车充电器和服务器且 R_DS(on)* 低至 44 毫欧的新款 600V SJ MOSFET

韩国首尔，2023 年 5 月 2 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了新的 600V 超结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET) 系列，此系列包含采用专有设计技术的九种不同产品。

美格纳的专有设计可将特定通态电阻 (R_SP) 降低约 10%，同时仍能够保持前一代 MOSFET 的相同单元间距。

此外，新的 600V SJ MOSFET 产品系列配备快恢复体二极管。这种二极管技术可显著提高系统效率，同时降低反向恢复时间 (t_rr) 和开关损耗。相比前一代产品，此款产品用于评估 MOSFET 的总体性能的评价指标提高了 10% 以上。因此，这些 600V SJ MOSFET 可以广泛用在各种工业应用中，例如太阳能逆变器、能量存储系统、不间断电源系统和各种电子产品。

在这些新的 MOSFET 中，MMQ60R044RFTH 产品具有低至 44 毫欧的 R_DS(on)，是用于电动车充电器和服务器的理想选择。根据市调机构 Omdia 的数据估测，混合动力及电动车辆和服务器的 Si MOSFET 市场的年复合增长率从 2023 年到 2026 年将分别为 11% 和 7%。

“我们已推出了 600V SJ MOSFET 产品，目标是在 2023 年的下半年发布配备快恢复体二极管的新 650V 和 700V SJ MOSFET 产品系列，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“这些新的 MOSFET 代表了公司取得的重大成就，我们将在此基础上，打造下一代电源解决方案，满足不断变化的市场需求和客户期望。”

* R_DS(on):通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值。

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关于美格纳半导体

美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

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