– 新款 40V MXT MV MOSFET 经优化用于汽车电机和低功率控制系统，具有紧凑的外形和低栅极阈值电压
韩国首尔，2024 年 9 月 9 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了面向汽车应用的四款新型 40V 1)MXT MV MOSFET，这些产品采用功率双边扁平无引脚 (PDFN) 33 封装设计。
随着自动驾驶和信息娱乐系统这类汽车技术的进步，车辆中安装的电机的数量和种类越来越多。因此，为了高效驱动这些电机，功耗低、外形紧凑且重量轻的高性能 MOSFET 越来越重要。
美格纳新发布的 40V MXT MV MOSFET 采用 PDFN33 封装，相比于采用 PDFN56 封装的 40V MOSFET 产品，面积缩小超过 60%，重量降低约 75%。新产品更适合对性能、燃油效率和空间灵活性要求高的汽车电机及低功率控制系统。
在这些新产品中，三个型号（AMDV040N029LVRH、AMDV040N036LVRH 和 AMDV040N042LVRH）具有 1.8V 的低栅极阈值电压。栅极阈值电压决定了 MOSFET 从关断切换到导通的时间点。更低的阈值电压将降低运行 MOSFET 所需的能量，从而降低系统的总体功耗。
四款新型汽车 40V MXT MV MOSFET 的关键规格如下：
“随着这些新产品的发布，美格纳进一步增强了其汽车电源产品阵容，这些产品的设计可满足汽车零部件行业的各种需求，”美格纳首席执行官金荣俊说。“我们将继续通过技术创新和稳定的产品供应，扩展我们在这个不断发展的市场中的全球份额。”
1MXT MV MOSFET（美格纳极限沟槽中压 MOSFET）：美格纳的 40~200V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。
2RDS(on)：MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻。
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