– 公司的各种 IGBT 和 MXT MV MOSFET1 产品为太阳能市场提供了优化的解决方案
韩国首尔，2024 年 7 月 29 日 – – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司完成了 1200V 75A 绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）的开发，这款产品采用 TO-247PLUS 封装，设计用于太阳能逆变器。公司计划于今年十月开始进行量产。
美格纳在 2020 年进入太阳能逆变器市场时推出了 1200V 40A IGBT (MBQ40T120QFS)，并在 2022 年开始提供 650V 75A IGBT (MBQ75T65PEH)。现在，公司发布了最新的 1200V 75A IGBT (MBQA75T120RFS)，这款产品采用美格纳的先进设计技术和工艺。
这款新产品采用 TO-247PLUS 封装，配备一个宽型散热器，相比 TO-247 封装，提高了散热性能。此外，与该公司的前代产品相比，导通损耗降低超过 14%，提升了电源效率。这一性能的改善确保了产品即使在过载状态下也能稳定运行，从而提高系统稳定性。
此外，新款 IGBT 产品具备相当于两个 40A IGBT 的性能，可实现灵活的应用设计。另外一项重要特性是融入了快速恢复二极管并联量测技术，可快速消除多余电流，降低开关损耗，同时保证最高 175°C 的工作结温。此款产品根据电子设备工程联合委员会 (JEDEC) 发布的标准设计，适合需要严格额定功率和高效率的各种应用，包括太阳能逆变器、转换器、不间断电源系统和通用电源逆变器。
根据市调机构 Omdia 的数据，从 2024 年到 2028 年，可再生能源市场中的分立型 IGBT 和基于硅的 MOSFET 领域有望实现 15% 的年复合增长率。
“随着这款新产品的发布，美格纳的太阳能电源产品阵容进一步增强，现在可提供高性能的 IGBT 和 MXT MV MOSFET，能够满足太阳能市场中各种应用的技术要求 ”，美格纳首席执行官金荣俊说。“我们将继续供应面向可再生能源应用的创新性电源解决方案，并充分利用行业中的发展机会。”
1 MXT MV MOSFET（美格纳极限沟槽中压 MOSFET）：美格纳的 40~200V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。
2 RDS(on)：MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻。
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