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韩国首尔，2024 年 7 月 30 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了面向智能手机电池保护电路的第 8 代 MXT LV MOSFET¹。

美格纳首次在公司的新款 12V 双 N 通道 MOSFET (MDWC12D024PERH) 中引入其专属超短通道 FET II (SSCFET® II) 技术。SSCFET® II 是美格纳的最新设计技术，可显著缩短通道长度，从而降低R_SS(on)²。

与相同尺寸的前代产品相比，此款产品的 R_SS(on) 降低了约 22%。这降低功率损失，缩短智能手机充电时间，在快充模式下可使智能手机内部温度降低约 12%。

随着全球智能手机制造商在智能手机中提升 AI 功能，MOSFET 产品的重要性在不断增强。美格纳的新款 12V MXT LV MOSFET 具备较高的电源效率，经优化可适用于高端智能手机中的各种电池保护应用，尤其是设备端 AI 智能手机

根据市调机构 Omdia 的数据估测，从 2024 年到 2028 年，设备端 AI 智能手机的发货量有望平均每年增长 50%，到 2028 年将达到 6.06 亿台。

“去年早期在开发超短通道 FET I 技术并与成功推出相应产品后，美格纳现在发布了升级的超短通道 FET II 技术，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“我们计划继续开发创新性的高密度单元沟槽技术，并于今年下半年推出面向智能手机、智能手表和耳机的先进电源解决方案。”

 

 

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¹ MXT LV MOSFET（美格纳极限沟槽低压 MOSFET）：美格纳的 12~40V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

² R_SS(on):通态电阻; 即两个受保护的 MOSFET 在工作期间 (ON) 的源极之间电阻值。

 

 

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电源解决方案 > MXT MOSFETs > 12V

 

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美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

 

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