新闻中心

韩国首尔，2023 年 3 月 2 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了两款第七代 MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)¹，这两款产品基于公司的超短通道技术而打造，适用于智能手机中的电池保护电路模块。

超短通道是美格纳的最新设计技术，可在通态运行期间缩短源极与漏极之间的通道长度，这将显著降低 R_DS(on)²，从而获得较高的性能。美格纳会首先将此技术应用于最新发布的 MDWC12D028ERH (12V MOSFET) 和 MDWC24D031ERH (24V MOSFET) 上。

得益于超短通道技术，与先前的版本相比，这些新款 MOSFET 的尺寸减小了 20%，MDWC12D028ERH 和 MDWC24D031ERH 的 R_DS(on) 分别降低了 40% 和 24%。借助这些增强的产品功能，降低了电池充放电时的功率损失，并且对电池进行快速充电时可以保持一个较低的温度。

美格纳计划于 2023 年下半年发布大小紧凑的超短通道 MXT MOSFET，这些产品具有出色的电源效率，适用于如智能手表和耳机的可穿戴设备的小型电池。

“超短通道技术将该 MXT MOSFET 性能提升到了一个全新的水平 ，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“美格纳将继续努力推进技术创新，提供出色的电源管理 IC，满足移动设备制造商不断变化的各种要求。”

^【1】 MXT MOSFET（美格纳极端沟槽 MOSFET）：美格纳的前沿沟槽 MOSFET 产品组合，包括中低压 （12V to 200V）MOSFET

^【2】 R_DS(on)：通态电阻，即 MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值

相关链接

电源解决方案 > MXT MOSFETs > 12V

电源解决方案 > MXT MOSFETs > 24V

关于美格纳半导体

美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

CONTACTS: