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– 美格纳通过增加采用 D²PAK-7L 和 PDFN56 封装的新款 150V MXT MV MOSFET，扩展了其第 8 代 MXT MV MOSFET 产品组合

韩国首尔，2023 年 10 月 10 日 – Magnachip Semiconductor Corporation（以下简称“美格纳”或“公司”）（NYSE：MX）当日宣布，公司发布了利用其第 8 代沟槽 MOSFET 技术的两款新 150V *MXT MV 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 。

要降低高功率设备的功耗和确保稳定性，能效至关重要。这些新发布的第 8 代 150V MXT MV MOSFET（MDES15N056PTRH、MDU150N113PTVRH）基于美格纳的前沿沟槽 MOSFET 技术而开发。特别是，与前一代相比，MDES15N056PTRH 的 R_DS(on)（MOSFET 在通态运行期间漏极与源极之间的电阻值）降低了 22%，因此增强了应用的能效。

通过改进晶胞和封装设计，MDES15N056PTRH 和 MDU150N113PTVRH 的品质因素（FOM：R_DS(on) x Qg）与前一代相比分别提高了 23% 和 39%。而且，通过采用贴片封装，例如 D²PAK-7L (TO-263-7L) 和 PDFN56，减小了 MOSFET 的尺寸，可实现对各种应用进行灵活设计，这些应用包括电机控制器、电池管理系统 (BMS)、家用太阳能逆变器和工业电源等。

“在去年推出五款第 8 代 200V 和 150V MOSFET 后，现在我们很高兴地再推出两款采用新封装的 150V MXT MV MOSFET 产品，”美格纳首席执行官 YJ Kim 说。“美格纳将继续扩展其高效 MXT MOSFET 产品组合，包括即将发布的基于 180 纳米微结构技术的新款产品。”

*MXT MV MOSFET（美格纳极限沟槽中压 MOSFET）：美格纳的 40~200V 沟槽 MOSFET 前沿产品组合。

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关于美格纳半导体

美格纳是模拟和混合信号半导体平台解决方案的设计与制造企业，方案适用于通信、物联网、消费类电子产品、工业和汽车应用等诸多领域。公司为全球客户提供广泛的标准产品。美格纳的经营历史已超过 40 年，并拥有1,100 项已注册专利和正在申请的专利，具备丰富的工程、设计和制造工艺技术经验。欲了解更多详情，请访问 www.magnachip.com/cn。美格纳网站上的信息未包含在本新闻稿中。

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