매그나칩반도체, 한층 강화된 0.13um Embedded EEPROM 공정 기술 제공
아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 자사의 0.13um Embedded EEPROM 기술용 고전압 옵션을 새롭게 제공하게 되었다고 밝혔다. 한층 강화된 이번 신규 공정은 신호대비 잡음비율(SNR)의 개선을 통해, 터치 센싱 IC 성능의 중요 요소인 노이즈 내성(잡음 여유도)이 향상된 것이 특징이다.
새로 제공되는 0.13um Embedded EEPROM IP는 32Kbyte 메모리 블록의 밀도를 약 50% 줄이면서, 고전압 옵션을 추가해 터치 컨트롤러 IC와 MCU의 성능을 향상시킨다. 10V 와 20V 트랜지스터를 특징을 갖는 새롭게 개발된 HV 옵션은 구현을 위해 최소한의 마스크 개수만이 요구되며, 매끄러운 통합 보장을 위해 0.13um EEPROM logic과는 완벽하게 독립되어 있다. 신규 공정 기술은 신호대비 잡음(Signal-to-Noise) 성능의 향상으로 전반적인 IC 설계의 기능성과 성능을 한층 향상 시킨다고 매그나칩은 설명했다.
이와 함께, 매그나칩은 2015년 모바일 어플리케이션의 더욱 커진 스크린에 적합한 30V 버전의 출시를 계획 하고 있다고 밝혔다. 0.18um Embedded EEPROM 기술과 더불어, 다양한 HV 옵션을 제공하는 0.13um Embedded EEPROM 기술 출시를 통해, 매그나칩은 Embedded EEPROM 기술 포트폴리오를 완성하게 되는 것이다. 이는 매그나칩이 자사의 많은 고객들이 필요로 하는 Embedded EEPROM 옵션을 제공하기 위한 필수적인 단계를 밟아 나가고 있다는 것을 의미한다.
매그나칩 파운드리부문 박남규 부사장은 “한층 강화된 0.13um Embedded EEPROM 기술용 고전압 옵션을 제공하게 되어 매우 기쁘게 생각한다.”며, “파운드리 고객들의 증가하고 있는 세밀한 어플리케이션 요구사항을 충족시켜줄 수 있는 경쟁력 있는 기능을 지속적으로 개발해 나가는 것이 목표”라고 밝혔다.
