매그나칩, 향상된 스위칭 성능 탑재한 새로운 0.18micron RFSOI 2.5V 공정 출시
아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 향상된 스위칭 성능의 새로운 0.18micron RFSOI 공정을 제공한다고 밝혔다. 이번에 출시된 2.5V 특화 스위치 중심 공정은 기존의 1.5V / 2.5V 공정에 대비해, 제조 비용 및 시장 진입 시간을 절감하는 동시에 무선 연결을 위한 모바일 및 IoT(Internet-of-Things)에 사용되는 안테나 스위치에 있어 경쟁력 있는 성능을 제공하는 것이 특징이다.
새로운 0.18micron 2.5V RFSOI 공정이 주는 가장 큰 이점은 비용 대비 높은 효율성에 있다. 이번 공정은 산업표준인 1P4M(1 Poly Silicon Layer & 4 Metal Layer) 대비, Metal 1에 알루미늄을 사용해 150fs의 Ron*Coff를 제공하고, Photo Step 수를 약 15% 줄였다. Mask Layer 수의 축소는 고객에게 비용 절감은 물론 팹 소요 시간을 줄여 제품 출시 기간을 단축할 수 있게 한다. Ron*Coff는 RF 스위치의 성능을 평가하는데 사용되는 성능 지수에 하나다.
또 다른 주요 이점은 Ron*Coff를 150fs로 유지하면서, 4V의 견고한 BV (Breakdown Voltage)를 갖는 다는 점이다. 높은 BV는 Stack 수를 감소시켜 칩 크기를 줄일 수 있다.
이와 함께, 이번 0.18micron RFSOI 공정은 2GHz에서 삽입 손실을 20 % 감소시키는 한편, 35dBm 전력 레벨에서 -60dBm보다 더 낮은 고조파 구현이 가능해 졌다. 이번 공정은 SP8T(Single Pole Eight Throw) 스위치를 통해 성공적으로 시연 되었으며, 고조파 왜곡을 억제하기 위해 Trap-rich의 고-저항성 기판을 기반으로 사용하고 있다. 또한 Floating body, Low leakage 와 같은 유용한 옵션과 함께, 추가적인 Transistor를 제공할 뿐 아니라, 다수의 RF 및 아날로그 기능을 더욱 작은 Die에 통합할 수 있도록해 약 18%의 면적 감소가 가능한 것이 특징이다. 아울러, 사용 가능한 공정 옵션에는 27-volt Metal-Inductor-Metal Capacitor, Geometry Scalable Inductor, High Resistivity Poly Resistor, MOS Varactor 및 풍부한 전력 처리를 위해 4micron 두께의 Thick Top Metal이 포함 된 최대 4 Layer Metal이 포함되었다.
매그나칩 김영준 대표이사는 “매그나칩의 RFSOI 기술 포트폴리오에 스위치 중심 2.5V 공정이 추가 된 것은 매그나칩이 높은 가격 경쟁력을 갖춘 고성능의 RFSOI 공정을 필요로 하는 파운드리 고객을 위해 얼마나 노력하고 있는 지를 보여주는 또 다른 사례”라며, “우리는 글로벌 고객들의 늘어나는 높은 수준의 요구사항들을 충족시키기 위해, 지속적으로 차별화된 공정 제공은 물론 RFSOI 공정을 더욱 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.
