매그나칩, SOI RF CMOS 기술이전 통해 RF FEM(Front-End Module) Foundry 시장진출확대
매그나칩반도체(대표이사 박상호)는 나노종합기술원과 SOI RF CMOS 기술이전 계약을 체결하고 수요가 늘고 있는 RF FEM(Front-End Module) 파운드리 시장 진출 확대에 나섰다고 밝혔다.
매그나칩이 이관 받게 되는 0.18um SOI RF CMOS 공정기술은 핸드폰의 FEM(Front-End Module)의 핵심기술로, 기존 화합물 반도체와 실리콘제품을 대체해 제조공정을 약 30% 정도 줄여, 제조단가 및 공정시간의 획기적인 단축과 함께 2/3/4G 및 LTE 휴대전화 시스템의 특정한 요구조건까지 지원할 수 있게 된다.
SOI RF CMOS기술은 최근 다중밴드 다중모드 휴대폰 설계 트랜드로 인해 빠르게 확산되고 있는 RF Switch와 Antenna Tuning Application에 최적화 되어 있는 기술로, 뛰어난 스위치 성능은 물론 Control, Logic, Monitoring, Power를 포함하는 높은 수준의 회로직접을 가능케 하는 기술이다.
이 기술을 통해 기존 화합물반도체를 이용한 FEM에 비해 FEM의 경박단소화가 가능해질 뿐만 아니라, RF 튜닝회로의 핵심요소인 Digital Tunable Capacitor의 집적도 가능하며, 향후에는 PA(Power Amplifier)까지 집적되어 Single-Chip CMOS FEM이 가능해 질 것으로 전망된다.
나노종합기술원 이재영 원장은 “이번 기술 이전은 정부출연 연구기관인 나노종합기술원이 독자적으로 개발한 기술플랫폼이 상업적 제품생산에 적용될 수 있다는 점을 확인 시켜준 모범사례로, 앞으로도 SOI RF CMOS 파운드리 사업이 순조롭게 진행될 수 있도록 매그나칩에 대한 적극적은 지원을 계속해 나가겠다.”고 밝혔다.
매그나칩반도체 박남규 SMS마케팅 전무는 “나노종합기술원의 0.18um SOI RF COMS 기술이전이 매그나칩 파운드리 고객에게 더욱 다양한 공정을 제공할 수 있게 된다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “우리의 목표는 급속도로 변화하는 반도체 시장에서 고객과 파트너사들의 니즈를 충족시킬 수 있는 차별화된 새로운 기술을 꾸준히 제공하는 것”이라고 밝혔다. 끝.
