매그나칩, SOI(Silicon on Insulator) RF CMOS 공정기술 제공
아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 RF FEM(Front-end Module) 파운드리 신흥시장을 위한 0.18um SOI(Silicon on Insulator) RF CMOS 공정기술을 제공하게 되었다고 밝혔다.
SOI RF CMOS 공정기술은 안테나 스위치 및 튜너(Tuner) 어플리케이션에 활용되는 기술이다. 스위치와 튜너는 무선이동통신(Cellular)과 와이파이(Wi-Fi) 연결을 위한 무선 FEM을 만드는데 핵심적인 부품이다. CMOS 기반 FEM은 제조 단가와 시장 대응 시간을 감소 시키는 동시에 멀티 밴드 및 멀티 모드의 스마트폰과 태블릿에 있어서 경쟁력 있는 성능구현이 가능하다.
매그나칩의 0.18um SOI RF CMOS 공정기술은 고성능 구현을 위해 Trap-rich의 고저항 기판에 박막 실리콘 SOI를 사용한다. 이번 공정기술은 2.5V 스위치 FET로 60fs/V 미만의 Ron*Coff/BVDSS이라는 높은 경쟁력을 갖는 성능지수 특성도 가지고 있다. 이는 현재 생산 가능한 경쟁력 있는 범위의 값을 의미하는 것으로 FEM 어플리케이션에도 적합한 것이다. 아울러, 이번 공정기술은 높은 수준의 집적을 가능하게 하는 2.5V CMOS, Native NMOS, 1.6Kohm/square Poly Resistor, 2.2fF/um2 MIM Capacitor, 4LM and 4Micron Thick Top Metal도 포함하고 있다. 또한, Mask Layer 개수가 다른 비교할 만한 기술에서의 요구수준 보다 30% 적어, 성능에 아무런 영향 없이 가격 경쟁력이 높은 솔루션을 매그나칩 고객에 제공할 수 있을 것으로 기대된다.
매그나칩은 고객들에게 뛰어난 RF CMOS 모델의 추출과 생성 및 검증 기술을 제공하기 위해 소자 모델링 솔루션의 선두 기업인 Keysight Technologies 의 EEsof EDA와 협력해 왔다.
매그나칩 파운드리부문 박남규 부사장은 “매그나칩은 가격 경쟁력이 높고 탁월한 성능의 0.18um SOI RF CMOS 공정기술을 제공함으로써, 파운드리 고객들에게 공급하고 있는 고성능의 앞선 공정기술 포트폴리오 확대에 중요한 기회가 되었다.”고 평가하고, “빠른 속도로 변하고 있는 고객 니즈를 충족시키기 위해 지속적으로 혁신적이고 차별화된 기술을 제공할 것”이라고 말했다.
