[월:] 2011년 08월

매그나칩, 고성능 혼성신호 애플리케이션용 Zero Layer Triple Voltage CMOS 공정기술 개발

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(NYSE: MX)는 고성능 혼성신호 애플리케이션에 쓰이는 삼중 전압 CMOS(Triple Voltage CMOS) 공정기술을 개발했다고 밝혔다.

이번에 개발한 삼중 전압 CMOS 공정기술은 고전압 소자를 표준 이중전압 소자와 통합시키는 기술로, 표준형 1.8/5V 및 1.8/3.3V CMOS 공정에 적용 가능하도록 Zero Layer CMOS 트랜지스터 형태로 설계됐다.

17V의 파괴 전압(Breakdown Voltage), 7V의 게이트 전압(Gate Voltage)과 10V의 드레인 전압(Drain Voltage)을 지닌 Zero Layer CMOS 트랜지스터는 기존의 표준 CMOS 공정과 100% 호환됨에 따라, 공정 변경 및 추가가 불필요한 장점을 지니고 있다. 아울러, 빠른 스위칭 응답을 보이는 LDMOS 및 EDMOS 기능도 함께 갖추고 있어, 기존 고전압 트랜지스터 대비 온저항(On-resistance)이 낮은 점이 특징이다.

특히, 낮은 온저항 및 높은 파괴 전압(Breakdown Voltage)은 칩 통합이 필요한 고성능 혼성신호 애플리케이션의 소자 설계에 큰 이점을 제공한다.

매그나칩 이태종 전무는 “삼중 게이트 산화물(Triple Gate Oxide), 초저소음(Ultra Low Noise) 공정 등 매그나칩의 기존 혼성신호 공정을 기반 삼아 고객 수요가 크게 늘고 있는 Zero Layer CMOS 공정기술을 신규 개발하게 됐다”며, “향후 혼성신호 분야에서 앞선 공정기술을 지속적으로 개발할 계획이다”라고 말했다.

매그나칩, 페레그린에 울트라CMOS™ RF 스위치 제품 공급

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(NYSE:MX)는 미국의 고성능 무선 주파수(RF) IC 팹리스 기업인 페레그린반도체(Peregrine Semiconductor Corporation)에 최신 “STeP5” 울트라CMOS™ SOS(Silicon-On-Sapphire) 기술을 적용한 RF스위치 제품을 공급하기 시작했다고 밝혔다.

울트라CMOS™ 기술은 모놀리식 통합을 가능하게 하는 사파이어를 기본 물질로 사용함으로써 GaAS와 같은 화합물 반도체 공정 대비, 다이 사이즈가 작고, 수율이 높으며, 외부 구성요소를 최소화 할 수 있는 장점을 지니고 있다.

지난 2007년 중순 이래 울트라CMOS™ 특허기술 이전을 진행해온 양사는 청주에 위치한 매그나칩의 0.35um 생산라인에서 페레그린의 STeP3및 STeP4 공정을 구축해 왔으며, 최근 STeP5공정 이전을 위한 최종 검증이 마무리됨에 따라 제품 양산을 시작하게 됐다.

매그나칩Corporate Engineering 및 SMS Engineering 본부장인 이태종 전무는 “페레그린의 최신STeP5 울트라 CMOS RF스위치 제품 양산을 시작하게 되어 매우 기쁘다”며, “이는 매그나칩의 생산 서비스와 페레그린의 기술 및 설계 엔지니어링 노하우가 잘 어우러진 결과다”라고 말했다.