11월 2018 - 매그나칩반도체

매그나칩, 산업용 애플리케이션에 적합한 Power Module용 고전압 IGBT 제품 출시

– IGBT P-series는 10kW 이상 3상 모터, 태양광 인터버 등 산업용 애플리케이션에 적합한
1200V, 100A 및 넓은 SOA(Safe Operating Area) 특성 보유 –

아날로그 및 혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션의 설계 및 제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 고전압의 산업용 애플리케이션에 적합한 Power Module용 IGBT 제품 양산을 시작했다고 밝혔다. IGBT는 Insulated-Gated Bipolar Transistor의 약자로 매그나칩의 전력 표준 제품 군 중 하나다.

이번에 출시한 IGBT P-series(“MBW100T120PHF”)는 1200V 고전압은 물론 100A의 높은 전류 용량을 보유하고 있으며, Field-Stop Trench 기술을 적용해 1.71V의 낮은 포화전압 Vce(sat)을 달성함과 동시에 기존 제품보다 Switching loss를 개선했다. MBW100T120PHF는 설계자들로 하여금, 더 높은 스위칭 주파수로 디바이스를 가동할 수 있게 해, 회로에 필요한 커패시터 및 인덕티브 소자의 크기와 비용을 낮출 수 있다. 이는 전력 밀도는 높이고 크기와 재료비용은 더욱 낮출 수 있다는 것을 의미한다. 또한, 정격 전류의 최대 4배 수준까지 동작이 가능하고, IGBT Module 스위칭 소자의 안전한 동작 영역을 뜻하는 SOA(Safe Operating Area)가 넓어, 고 전력이 필요한 산업용 애플리케이션에 적합하다. 이와 함께, 칩 내부 탑재 저항을 최적화해 여러 개 칩을 동시에 작동하게 하는 병렬 구성 설계가 가능한 것이 특징이다.

특히, 이번 MBW100T120PHF는 10kW 이상의 3상 모터 및 태양광 인버터 시스템 등과 같은 고전압 산업용 애플리케이션에서, DC-AC전원 변환 과정에서 발생하는 전력 손실을 줄여 줌으로써, 전체 시스템의 안정성과 애플리케이션의 에너지 효율성을 향상시킬 것으로 기대된다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “1200V 고전압 및 100A의 높은 전류 용량을 보유하면서, 산업용 애플리케이션에 적합한 Power Module용 IGBT P-series 신제품을 출시하게 된 것을 매우 기쁘게 생각한다.”며, “이번 IGBT P-series 신제품 출시를 통해, 매그나칩의 IGBT Power 제품 포트폴리오가 더욱 확대되고, 고전압 전력 표준 제품 시장 리더로서의 명성이 한층 강화될 것으로 기대된다.“고 밝혔다.

매그나칩, 최대 동작전압 200V 전장급 0.18 micron BCD 공정 기술 제공

아날로그 및 혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션의 설계 및 제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 최대 동작전압 200V의 0.18 micron BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) 공정을 제공한다고 밝혔다. 매그나칩은 Solid High-voltage Isolation의 SOI (Silicon On Insulator) 기판을 사용하고 있는 새로운 BCD 공정 제공을 통해, 기존 100V에서 200V까지로 BCD 공정 포트폴리오를 확장하게 되었다. BCD 공정에 200V 소자가 포함된다는 것은 자동차, 전기자동차, 산업용 모터 드라이버, 초음파 의료 영상 시스템, 태양광 패널을 포함한 고전압 애플리케이션에 전력 IC를 적용한 설계가 가능해 진다는 것을 의미한다.

이번 새로운 BCD 공정 기술은 SOI 기판과 매그나칩의 독보적인 Deep-Trench Isolation 기술을 바탕으로 기존 Bulk Silicon 기반의 BCD에 비해 더욱 높아진 Isolation 항복 전압, 작아진 Isolation 크기, 개선된 기판 Noise Immunity, Latch-up Immunity 및 Active Silicon Layer와 기판들 사이에 절연 Silicon Dioxide Layer로 이루어져 있는 Power Block의 High-side Isolation 등 다양한 장점이 있다. 이번 공정 기술은 두 가지 유형의 전력 LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 기술이 최대 200V까지 지원된다. 첫 번째 유형은 Power Block의 패킹 밀도를 높이는 낮은 온-저항 (Rsp)특성을 갖고 있으며, 두 번째 유형은 모든 범위의 VDS (Drain-to-Source Voltage) 및 VGS (Gate-to-Source Voltage)의 장기적인 신뢰성을 보장하는 넓은 범위의 SOA(Safe Operation Area)를 지원하고 있어, 파운드리 고객들이 필요에 따라 각각의 유형을 선택할 수 있다.

새로운 0.18micron 200V BCD 공정에서는 다양하고 유용한 옵션 소자 지원을 통해, 설계의 통합성 및 유연성을 강화했다. 지원되는 옵션 소자에는 Bipolar Transistor, Zener Diode, Schottky Diode, 고저항 Poly Resistor, Metal-Insulator-Metal Capacitor, Metal-Oxide-Metal Capacitor, Electrical fuse 및 Multi-time Programmable Memory 등이 있다.

자동차 시장을 포함한 최종 소비 시장 중 일부에서는 고온에서의 신뢰성과 동작 전압이 높은 전력 IC 제품이 요구된다. 특히, 더 많은 전기 및 하이브리드 자동차 들이 48V 배터리 시스템을 채택하면서 이 같은 IC 제품에 대한 수요가 더욱 커지고 있다. 이러한 요구를 충족하기 위해, 매그나칩의 새로운 200V BCD 기술은 -40℃~ 150℃의 전장급(자동차 동작 가능 수준) 품질인증 기준 AEC-Q100 0등급의 온도 조건을 만족하는 품질 인증 역시 획득했다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “전기 자동차, 태양광 패널 등과 같은 최근 각광받는 애플리케이션에 적용되는 0.18 micron 200V BCD 공정 솔루션을 제공하게 된 것을 매우 기쁘게 생각한다,”며, “매그나칩은 다양한 시장에서 파운드리 고객들의 까다로운 요구를 충족하기 위해 Power 기술 포트폴리오를 지속적으로 확대해 나갈 것”이라고 말했다.