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매그나칩, eMemory사와 0.18um EEPROM IP 솔루션 제공

아날로그 및 혼성신호 전문기업 매그나칩반도체(대표:박상호, NYSE:MX)는 대만의 비휘발성 메모리(NVM) IP 전문기업인 eMemory Technology사와 공동 개발한 0.18um EEPROM Intellectual Property (IP) 인증을 완료했다고 밝혔다. eMemory사의 앞선 EEPROM IP가 매그나칩의 기존 비휘발성 메모리 IP 포트폴리오에 추가됨으로써, 매그나칩은 고성능 내장형 비휘발성 메모리(embedded NVM) IC설계 솔루션을 필요로 하는 글로벌 고객들에게 향상된 파운드리 서비스를 제공할 수 있게 되었다.

매그나칩은 세계최고 수준의 셀 사이즈를 자랑하는 Side-wall Selective Transistor Cell (SSTC) 구조를 기반으로, 특허를 보유한 EEPROM 셀을 개발했다. 내장형 EEPROM IP는 선도적인 0.18um 제조공정을 사용하고, 1.8V, 1.8V+3.3V 및 1.8V+5.0V 와 같은 다양한 전압레벨에서 구동이 가능하다. 이번에 새롭게 출시하는 EEPROM IP는 특히 보다 축소된 die 사이즈와 더욱 빨리진 read 속도 같은 최적화된 특성을 요구하는 터치 컨트롤러 IC, 소비자 MCU, 컴퓨터 주변 컨트롤러, LED 라이트 컨트롤러 및 기타 애플리케이션에 더욱 적합한 것이 특징이다.

eMemory의 EEPROM IP는 1.8V Single Power Supply, 경쟁력 있는 IP Macro size, 빠른 Access 속도, 그리고 짧은 IP개발 기간 등의 이점을 제공하며, Multi-DUT 테스트를 위한 Serial Direct Access (SDA) 특성과 함께, 제품 테스트 기간 및 관련 비용을 상당히 줄일 수 있는 장점이 있다.

eMemory의 Rick Shen 사장은, “eMemory는 수년간 매그나칩과 협력해, OTP 공정 플랫폼에서 놀라운 성과를 거두어 왔으며, 이러한 탄탄한 기반을 바탕으로 새로운 EEPROM IP를 통해 보다 다양한 제품 애플리케이션용으로 자사의 NVM 솔루션을 강화해 나아갈 것이다” 라고 말하고, “매그나칩과의 협력을 보다 강화해, 다양한 공정 기술과 신흥 애플리케이션을 기반으로 한 NVM IP제품 포트폴리오를 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.

매그나칩반도체 박남규 부사장은 “NVM기술 전문 기업인 eMemory와 협력해 0.18um EEPROM IP를 인증하게 되어 매우 기쁘다”며, ”이번에 인증된 EEPROM IP를 통해, 매그나칩은, 파운드리 고객의 애플리케이션 별 세부적인 요구사항을 만족시킬 수 있는 다양한 종류의 고성능 NVM IP솔루션을 지속적으로 제공할 수 있게 될 것으로 기대된다”고 말했다.

eMemory
eMemory(TWSE: 3529)사는 Logic Process eNVM Silicon IP 분야의 글로벌 리더 기업이다. 2000년 설립 이후, 혁신적인 기술 연구 개발에 참여해왔으며, NeoBit® (OTP silicon IP), NeoFuse® (anti-fuse OTP silicon IP), NeoMTP® (1,000+ times programmable silicon IP), NeoFlash® (10,000+ times programmable silicon IP), 그리고 NeoEE® (100,000+ times programmable silicon IP)와 같은 업계에서 가장 포괄적인 eNVM IP 솔루션 플랫폼을 반도체 파운드리들과 통합장치 제조사(IDMs) 그리고 제조 공장이 없는 전세계 디자인 하우스에 제공해 오고 있다. eMemory의 eNVM 실리콘 IP는 Trimming, Function Selection, Code Storage, Parameter Setting, Encryption, 그리고 Identification Setting을 포함한 폭넓은 범위의 애플리케이션을 지원하고 있다. eMemory는 세계 최대규모의 NVM 엔지니어링 팀을 보유하고 있으며, 초기 디자인 단계부터 제작까지 eMemory eNVM IP가 통합된 종합적인 서비스 솔루션을 파트너사에 제공하고 있다는 점에 자부심을 가지고 있는 회사다. eMemory에 대한 더 많은 정보를 원할 경우, www.ememory.com.tw. 를 방문하면 된다.

매그나칩, 프리미엄 0.18um 임베디드 BCD 공정기술 제공

아날로그 및 혼성신호 전문기업 매그나칩반도체(대표:박상호, NYSE:MX)는 새로운 프리미엄 0.18um 임베디드 BCD (embedded Bipolar–CMOS-DMOS: eBCD)공정기술을 제공한다고 밝혔다. 이번 신규 공정기술은 BCD 고전압 전력 소자를 0.18um Standard Logic Process에 삽입한 것이 특징이다.

매그나칩의 새로운 BCD 공정기술은 마스크(Mask) 추가를 최소화하면서 고전압(12V~30V) 영역을 지원해, PMICs, DC-DC Converter와 Regulator, 저왜곡 오디오증폭기(Low-distortion Audio Amplifiers)와 모바일 및 소비자 시장용 배터리관리 IC 등의 애플리케이션 등에 잘 적용될 수 있는 것이 장점이다.

매그나칩은 새로운 BCD 공정이 표준 CMOS 공정과 완벽하게 호환되며, High Density Logic Device(1.8V)와 업계 선두의 낮은 Flicker Noise의 High Performance Analog Device(5V)를 사용하고 있다고 밝혔다.

이번 공정은 Multiple Time Programmable(MTP), One Time Programmable(OTP), Fuse-Based Trim Capability, High K Metal-Insulator-Metal(MIM) Capacitor, Copper Wire Bonding Compatibility, Thick Low-cost Aluminum Top Metallization, Low-cost Redistribution Layer(RDL)등 고급특성의 공정 옵션들을 Standard Logic Process에서 제공하게 된다.

이번 신규 공정은 고성능 12V~30V Lateral-DMOS 파워 소자가 기판으로부터 완전히 분리돼, 파워 소자의 면적과 효율성이 중요시되는 애플리케이션에 있어서 낮은 Rsp(Specific on Resistance)성능을 보인다는 점이 특징이다. 기판으로부터 고전압 소자를 분리해 고가의 Epitaxial Layer와 Buried Layer을 사용하지 않고도 Latch-up성능의 손실 없이 Substrate Injection을 최소화할 수 있었다고 매그나칩은 설명했다.

매그나칩반도체 박남규 전무는 “공정비용을 최소화 하면서 12~30V 파워 애플리케이션을 지원할 수 있는 0.18um BCD 공정 솔루션을 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다”며, “매그나칩의 모듈기반 BCD공정을 통해 빠르게 변화하는 다양한 고전압 애플리케이션을 위한 고객사 각각의 제작 요구사항을 빠르게 만족 시킬 수 있을 것으로 기대한다.”고 밝혔다.

매그나칩, SOI RF CMOS 기술이전 통해 RF FEM(Front-End Module) Foundry 시장진출확대

매그나칩반도체(대표이사 박상호)는 나노종합기술원과 SOI RF CMOS 기술이전 계약을 체결하고 수요가 늘고 있는 RF FEM(Front-End Module) 파운드리 시장 진출 확대에 나섰다고 밝혔다.

매그나칩이 이관 받게 되는 0.18um SOI RF CMOS 공정기술은 핸드폰의 FEM(Front-End Module)의 핵심기술로, 기존 화합물 반도체와 실리콘제품을 대체해 제조공정을 약 30% 정도 줄여, 제조단가 및 공정시간의 획기적인 단축과 함께 2/3/4G 및 LTE 휴대전화 시스템의 특정한 요구조건까지 지원할 수 있게 된다.

SOI RF CMOS기술은 최근 다중밴드 다중모드 휴대폰 설계 트랜드로 인해 빠르게 확산되고 있는 RF Switch와 Antenna Tuning Application에 최적화 되어 있는 기술로, 뛰어난 스위치 성능은 물론 Control, Logic, Monitoring, Power를 포함하는 높은 수준의 회로직접을 가능케 하는 기술이다.

이 기술을 통해 기존 화합물반도체를 이용한 FEM에 비해 FEM의 경박단소화가 가능해질 뿐만 아니라, RF 튜닝회로의 핵심요소인 Digital Tunable Capacitor의 집적도 가능하며, 향후에는 PA(Power Amplifier)까지 집적되어 Single-Chip CMOS FEM이 가능해 질 것으로 전망된다.

나노종합기술원 이재영 원장은 “이번 기술 이전은 정부출연 연구기관인 나노종합기술원이 독자적으로 개발한 기술플랫폼이 상업적 제품생산에 적용될 수 있다는 점을 확인 시켜준 모범사례로, 앞으로도 SOI RF CMOS 파운드리 사업이 순조롭게 진행될 수 있도록 매그나칩에 대한 적극적은 지원을 계속해 나가겠다.”고 밝혔다.

매그나칩반도체 박남규 SMS마케팅 전무는 “나노종합기술원의 0.18um SOI RF COMS 기술이전이 매그나칩 파운드리 고객에게 더욱 다양한 공정을 제공할 수 있게 된다는 점에서 큰 의미가 있다”며 “우리의 목표는 급속도로 변화하는 반도체 시장에서 고객과 파트너사들의 니즈를 충족시킬 수 있는 차별화된 새로운 기술을 꾸준히 제공하는 것”이라고 밝혔다.  끝.

매그나칩, 대만에서 ‘2013 파운드리 기술 심포지엄’ 개최

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(대표:박상호, 이하 매그나칩)는 6월 13일 대만 신주(Hsinchu)에서 ‘2013 파운드리 기술 심포지엄’을 개최한다고 밝혔다.

매그나칩은 이번 심포지엄을 통해 사업전략, 최신 공정 기술, 개발 로드맵 등을 소개할 예정이다. 특히, 주력 공정기술인 Mixed-Signal, BCD & Ultra High Voltage, Non-Volatile Memory 기술이 요즈음 큰 폭의 성장세를 보이는 스마트폰, 태블릿 PC, 자동차용 애플리케이션에 어떻게 적용되는 지 중점적으로 설명할 예정이다. 아울러, 고객 온라인 서비스 시스템인 i-Foundry와 디자인 설계 지원 도구인 PDK에 대해서도 자세한 설명을 덧붙일 예정이다.

매그나칩 박남규 전무는 “이번 심포지움이 글로벌 파운드리 시장의 변화와 발전에 대한 정보를 상호 공유하고, 경쟁력 갖춘 매그나칩 공정 기술에 대한 이해 증진의 기회가 될 것”이라고 말했다.
주요 팹리스 관계자들의 많은 참석이 예상되는 이번 심포지엄 신청은 홈페이지(www.magnachip.com) 또는 고객 온라인 서비스 시스템(ifoundry.magnachip.com)에서 접수 가능하다. 끝.

매그나칩, 0.18um 임베디드 EEPROM 공정기술 적용 고전압 소자 라인업 확대

매그나칩반도체(대표이사 박상호)는 0.18um 임베디드 EEPROM 공정기술을 적용한 고전압 소자 라인업 확대를 발표했다. 이번에 30V 고전압 소자를 0.18um 임베디드 EEPROM 공정기술에 성공 통합시킴으로써, 기존 10V, 20V에 이어 소자 라인업을 3종으로 늘렸다.

LDMOS 구조를 이용해 개발된 30V 공정기술은 큰 화면이 필요한 스마트폰, 태블릿 PC등의 모바일 제품에 적합하며, 이 공정기술을 이용할 경우 터치 센싱 IC 성능에 중요한 영향을 미치는 SNR(Signal to Noise Ratio)을 개선해 IC 설계의 기능과 성능을 향상시킬 수 있다.

최근 스마트폰, 태블릿 PC의 슬림한 설계 트렌드로 인해 Form Factor가 작아짐에 따라 전자회로가 내부 및 외부 전기 노이즈에 취약한 경우가 발생하는데, 반도체 부품간 인접성, 배터리 충전기, 온도, 습도 등이 주요 원인으로 꼽히고 있다. 매그나칩은 이 같은 노이즈 문제 해결 솔루션으로 고객들에게 0.18um 임베디드 EEPROM 고전압 공정기술을 제공할 계획이다.

매그나칩 파운드리 마케팅 박남규 전무는 “파운드리 고객의 다양한 애플리케이션에 맞는 고부가가치 공정기술을 지속적으로 개발해 나갈 것”이라고 말했다. 끝.

매그나칩, ‘2013 파운드리 기술 심포지엄’ 미국에서 개최

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(대표:박상호, 이하 매그나칩)는 캘리포니아 산타클라라(5월 16일)와 텍사스 오스틴(5월 21일)에서 ‘2013 파운드리 기술 심포지엄’을 개최한다고 밝혔다.

매그나칩은 이번 심포지엄을 통해 사업전략, 최신 공정 기술, 개발 로드맵 등을 소개할 예정이다. 특히, 주력 공정기술인 Mixed-Signal, BCD & Ultra High Voltage, Non-Volatile Memory 기술이 요즈음 큰 폭의 성장세를 보이는 스마트폰, 태블릿 PC, 자동차용 애플리케이션에 어떻게 적용되는 지 중점적으로 설명할 예정이다. 아울러, 고객 온라인 서비스 시스템인 i-Foundry와 디자인 설계 지원 도구인 PDK에 대해서도 자세한 설명을 덧붙일 예정이다.

매그나칩 박남규 전무는 “이번 심포지움이 글로벌 파운드리 시장의 변화와 발전에 대한 정보를 상호 공유하고, 경쟁력 갖춘 매그나칩 공정 기술에 대한 이해 증진의 기회가 될 것”이라고 말했다.

주요 팹리스 관계자들의 많은 참석이 예상되는 이번 심포지엄 신청은 홈페이지(www.magnachip.com) 또는 고객 온라인 서비스 시스템(ifoundry.magnachip.com)에서 접수 가능하다.

매그나칩, 캐나다 사이덴스와 비휘발성 메모리 IP 개발

180나노 고전압 CMOS 공정용 1T-OTP IP

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(대표:박상호, 이하 매그나칩)는 비휘발성 메모리를 Logic 공정에 구현한 (LNVM: Logic Non-Volatile Memory) OTP(One Time Programmable) IP 코어 전문 업체인 캐나다 사이덴스(Sidense Corp.)社와 180나노 고전압 CMOS 공정용 1T-OTP IP를 공동 개발했다고 밝혔다.

이번에 개발한 IP는 디스플레이, PMIC, LED 콘트롤러 등에 내장되는 비휘발성 메모리 IP로 1.8/3.3/18V 전압에서 구동 가능하며, IP 사용을 통해 팹리스 고객들은 제품 설계기간 단축 및 개발비용 절감의 혜택을 얻을 수 있디.

사이덴스는 SiPROM, SLP, ULP 메모리 제품을 생산하는 전세계 250여개 반도체 파운드리와 IDM 기업들에 제공 및 채택 되고 있으며, 매그나칩은 최근 사이덴스와 협력관계를 맺고 IP 공동 개발을 추진해 왔다.

사이덴스 톰 쉴드(Tom Schild) 부사장은 “1T-OTP IP를 매그나칩 공정에 적용, 양사의 협력범위를 확대함으로써, 1T-OTP IP를 적용하는 제품의 폭을 한층 더 넓히게 됐다”고 말했다.

매그나칩 박남규 전무는 “글로벌 유수 IP 기업인 사이덴스와 1T-OTP IP 공동 개발을 통해 매그나칩의 팹리스 고객들에게 보다 경쟁력 있는 서비스를 제공하게 됐다”고 말했다.

매그나칩, 스마트 에너지 애플리케이션용 700V 0.35um BCD 공정기술 제공.

매그나칩반도체(이하 매그나칩)는 스마트 에너지 애플리케이션 시장을 겨냥한 700V 초고전압 0.35um BCD(Bipolar/CMOS/DMOS) 공정기술을 신규 제공한다고 밝혔다.

이번 신규 공정기술은 듀얼 게이트 CMOS (3.3/5.5V) 기술에 두 개의 중간 전압(20/40V) LDMOS와 초고전압(700V)을 단일 공정화한 것으로, 전도성 손실과 스위칭 손실을 현격히 줄인 점이 특징이다.

또한, 초기구동(start-up)을 위한 JFET과 Depletion Mode LDMOS, 파워 소자를 위한 낮은 Ron LDMOS가 함께 내장되어 있어 고객들은 cut-off 전압 및 전류 처리 요건사항에 맞게 JFET나 Depletion Mode LDMOS 초기구동(start-up) 소자 가운데 선택 사용할 수 있고, LDMOS 항복전압이 800V에 이르면서도 낮은 Rsp 유지가 가능하다.

이 공정기술은 20V Parasitic NPN/PNP BJT, High Resistance Poly, Zener Diodes, Poly Fuse 그리고 고전압 ESD Protection 와 같은 다양한 공정 모듈 옵션을 지원하며, 2013년 6월부터 본격 제공될 예정이다.

고객들은 이 신규 공정기술을 통해 비용 절감과 신뢰성이 한층 더 높아진 One-Chip Solution 개발이 가능하다.

매그나칩 박남규 전무는 “그 동안 축적해 온 공정기술 노하우를 바탕으로 성장세가 큰 스마트 애플리케이션 제품에 최적화된 초고전압 0.35um BCD 공정기술을 선도적으로 제공하게 됐다”며, “향후 꾸준한 개선을 통해 차별화된 BCD 공정기술 포트폴리오를 지속 확대해 나갈 것”이라고 말했다. 끝.

매그나칩, Elan向 터치패드용 0.18um EEPROM 양산 시작

매그나칩반도체(이하 매그나칩)는 대만의 휴대폰 및 PC용 터치솔루션 팹리스 기업인 ELAN Microelectronics(이하 Elan)와 노트북 및 울트라북용 0.18um EEPROM 제품을 양산한다고 밝혔다.

매그나칩이 특허를 가진 Side-Wall Selective Transistor Cell(SSTC) 방식의 0.18um EEPROM 공정기술은 Cell 사이즈 축소를 통해 파운드리 고객들에게 비용절감의 혜택을 제공하며, 1.8V, 1.8V+3.3V, 1.8V+5.0V등의 다양한 전압에서 구동 가능한 점이 큰 특징이다.

매그나칩 박남규 상무는 “0.18um EEPROM 기술을 이용해 전략 고객인 Elan의 터치패드 제품을 생산하게 되어 기쁘다”며, “증가하는 파운드리 고객들의 니즈에 맞춰 EEPROM 공정기술을 지속 업그레이드해 나가고, 적용 애플리케이션도 보다 확대해 나가겠다”고 말했다. 끝.

매그나칩, 차세대 0.35um 고전압 BCD 공정기술 제공

매그나칩반도체(이하 매그나칩)는 모바일 및 컨슈머시장을 겨냥한 차세대 0.35um BCD (Bipolar/CMOS/DMOS) 고전압 공정기술을 제공한다고 밝혔다.

3.3V에서 65V까지 지원 가능한 이번 공정기술은 DC-DC Converter/Regulator, Power-over-Ethernet, LED Driver, Level Shifter, Audio Amplifier, AC-DC Controller/Converter, Micro-Converter, Micro-Inverter, PMIC 등 다양한 비메모리 반도체 생산에 필요한 고전압 고부가가치 공정기술이다.

특히, 이번 공정기술은 기존 공정 대비 MOSET의 Rsp (Specific on Resistance)를 20~35% 낮춰, 다양한 신뢰성 수준에 맞도록 Rsp를 최적화한 DMOS 소자 선택이 가능한 점이 특징이다.
또한, 매그나칩 독자 기술인 DTI (Deep-trench Isolation)의 DMOS Isolation 개선 및 Rsp 저항 감소를 실현해 신뢰성을 강화함으로써 파운드리 고객에게 보다 작은 크기의 고성능 제품을 제공할 수 있게 되었다.

이와 함께, MTP (Multi-time Programmable), High-reliability Non-volatile Memory Cells, OTP Cells (One-time Programmable Cells), High Capacitance per Unit Area, Metal-insulator-metal Capacitor, Copper Wire Bonding, Thick Top Metal, Redistribution Layer 등 다양한 공정 옵션을 제공함으로써 설계 유연성 및 비용 경쟁력을 높였다.

매그나칩 박남규 상무는 “팹리스 고객들의 니즈에 맞춰 모바일 및 컨슈머 시장에 최적화된 차세대 0.35um BCD 고전압 공정기술을 제공하게 됐다”며, “앞으로도 지속적인 공정기술 개선을 통해 BCD 기술 포트폴리오를 확대해 나갈 것” 이라고 말했다. 끝.