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매그나칩, 미국 본스사에 고속회로보호 반도체 양산 공급

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(대표:박상호, 이하 매그나칩)는 미국 팹리스 기업인 본스(Bourns, Inc)사에 고속 회로 보호(high speed circuit protection) 기능을 갖춘 순간 차단 반도체(transient blocking device)를 양산 공급한다고 밝혔다.

모스펫(MOSFET) 반도체 기술을 이용해 제조되는 이 제품은 시스템 내 흐르는 전류를 모니터링 하다 적정 수준 초과가 발생할 경우, 즉시 전류를 차단함으로써 시스템을 능동적으로 보호하는 기능을 가지고 있다.

특히, 이 제품은 음성처리 반도체, 고속 이더넷과 같은 정보통신 기기, 감시 시스템, 항공 전자기기와 같은 산업용 제품, 셋톱박스, 홈 게이트웨이와 같은 소비재 제품에 널리 쓰인다.

매그나칩과 본스 양사는 제품 설계, 공정기술 개발 등 제품 생산을 위한 핵심 프로세스에 공동 참여해 왔으며, 최근 본스사의 핵심 공정기술을 성공적으로 적용해 제품 양산에 본격 돌입하게 됐다. .

매그나칩 이태종 전무는 “양사 공동개발 과정을 거쳐 제품 양산을 실현하게 되어 매우 기쁘다”며, “향후에도 양사의 전략적 협력관계가 지속되기를 바란다”고 말했다. 이에 대해 본스의 텔레콤사업담당 아노드 모제르(Arnaud Moser) 본부장은 “매그나칩과의 파트너십을 통해 앞으로도 제품을 지속적으로 확대해 나가겠다”고 말했다.

본스사는 미국 캘리포니아 리버사이드에 본사를 둔 반도체 설계전문 기업으로, 자동차용 반도체, 회로 보호 솔루션, 자성 제품, 패널 제어 등이 주요 제품이다.

매그나칩, CMOS 혼성신호 고집적 커패시터 공정기술 개발

매그나칩은 자사의 표준 CMOS 혼성신호 공정기술과 통합 가능한 고집적 금속-절연체-금속 커패시터(high density metal-insulator-metal capacitor) 및 딥트렌치 커패시터(deep trench capacitor) 공정기술을 개발했다고 밝혔다.

4종의 정전용량(4, 6, 8, 10fF/um2)을 제공하는 금속-절연체-금속 커패시터 공정기술은 고유전 유전막(high dielectric constant material layer) 사용을 통해 기존의 질화규소 절연막(silicon nitride insulator layer)을 대체했으며, 누수 전류를 최소화해 단위 면적당 보다 높은 정전용량을 얻을 수 있는 장점이 있다. 또한, 소자의 단위 면적을 크게 줄임으로써, 전하 축적량을 높이고 소자간 신호 대비 잡음 비율을 크게 낮췄다.

한편, 실리콘 기판에 작은 딥트렌치(deep trench)들이 묶음으로 장착된 3-D 형태의 딥트렌치 커패시터 공정기술은 22fF/um2의 높은 정전용량 및 25V의 파괴전압을 지니고 있다. 이 기술은 빠른 스위칭 속도가 필요한 애플리케이션에 적합하며, 2011년 12월부터 제품 양산에 들어갈 예정이다.

매그나칩 이태종 전무는 “고집적 금속-절연체-금속 커패시터 및 딥트렌치 커패시터와 같이 혼성신호 애플리케이션에 특화된 커패시터 공정기술을 제공하게 되어 기쁘다”며, “향후 고객의 니즈에 맞춰 차별화되고 경쟁력 갖춘 공정기술을 지속적으로 개발할 계획이다”라고 말했다.

매그나칩, 고성능 혼성신호 애플리케이션용 Zero Layer Triple Voltage CMOS 공정기술 개발

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(NYSE: MX)는 고성능 혼성신호 애플리케이션에 쓰이는 삼중 전압 CMOS(Triple Voltage CMOS) 공정기술을 개발했다고 밝혔다.

이번에 개발한 삼중 전압 CMOS 공정기술은 고전압 소자를 표준 이중전압 소자와 통합시키는 기술로, 표준형 1.8/5V 및 1.8/3.3V CMOS 공정에 적용 가능하도록 Zero Layer CMOS 트랜지스터 형태로 설계됐다.

17V의 파괴 전압(Breakdown Voltage), 7V의 게이트 전압(Gate Voltage)과 10V의 드레인 전압(Drain Voltage)을 지닌 Zero Layer CMOS 트랜지스터는 기존의 표준 CMOS 공정과 100% 호환됨에 따라, 공정 변경 및 추가가 불필요한 장점을 지니고 있다. 아울러, 빠른 스위칭 응답을 보이는 LDMOS 및 EDMOS 기능도 함께 갖추고 있어, 기존 고전압 트랜지스터 대비 온저항(On-resistance)이 낮은 점이 특징이다.

특히, 낮은 온저항 및 높은 파괴 전압(Breakdown Voltage)은 칩 통합이 필요한 고성능 혼성신호 애플리케이션의 소자 설계에 큰 이점을 제공한다.

매그나칩 이태종 전무는 “삼중 게이트 산화물(Triple Gate Oxide), 초저소음(Ultra Low Noise) 공정 등 매그나칩의 기존 혼성신호 공정을 기반 삼아 고객 수요가 크게 늘고 있는 Zero Layer CMOS 공정기술을 신규 개발하게 됐다”며, “향후 혼성신호 분야에서 앞선 공정기술을 지속적으로 개발할 계획이다”라고 말했다.

매그나칩, 페레그린에 울트라CMOS™ RF 스위치 제품 공급

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(NYSE:MX)는 미국의 고성능 무선 주파수(RF) IC 팹리스 기업인 페레그린반도체(Peregrine Semiconductor Corporation)에 최신 “STeP5” 울트라CMOS™ SOS(Silicon-On-Sapphire) 기술을 적용한 RF스위치 제품을 공급하기 시작했다고 밝혔다.

울트라CMOS™ 기술은 모놀리식 통합을 가능하게 하는 사파이어를 기본 물질로 사용함으로써 GaAS와 같은 화합물 반도체 공정 대비, 다이 사이즈가 작고, 수율이 높으며, 외부 구성요소를 최소화 할 수 있는 장점을 지니고 있다.

지난 2007년 중순 이래 울트라CMOS™ 특허기술 이전을 진행해온 양사는 청주에 위치한 매그나칩의 0.35um 생산라인에서 페레그린의 STeP3및 STeP4 공정을 구축해 왔으며, 최근 STeP5공정 이전을 위한 최종 검증이 마무리됨에 따라 제품 양산을 시작하게 됐다.

매그나칩Corporate Engineering 및 SMS Engineering 본부장인 이태종 전무는 “페레그린의 최신STeP5 울트라 CMOS RF스위치 제품 양산을 시작하게 되어 매우 기쁘다”며, “이는 매그나칩의 생산 서비스와 페레그린의 기술 및 설계 엔지니어링 노하우가 잘 어우러진 결과다”라고 말했다.

파운드리 고객사에 구리 와이어 본딩(Copper Wire Bonding) 기술 제공

– 기존 금 와이어의 대체재로 20~30% 패키징비용 절감 효과-

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(NYSE:MX)는 위탁생산(파운드리) 고객들의 제조비용 절감 니즈를 충족시키기 위해 구리 와이어 본딩 기술 (Copper Wire Bonding Technology)을 제공한다고 밝혔다.

구리 와이어 본딩이란 구리선을 이용해 반도체 소자와 패키지 본체를 연결하는 제조공정을 말한다. 지금까지는 와이어 소재로 금을 주로 사용해 왔으나, 금값 상승에 따른 비용 절감을 위해 금을 대체할 신규 와이어 재료 찾기에 업계의 관심이 쏠려 있었다.

구리 가격은 금 가격의 1/4 정도에 불과해, 구리를 사용할 경우 제품 패키징 비용을 20~30% 줄일 수 있는 잇점이 있다. 또한, 구리는 재료적 특성으로 인해 금에 비해 전기 전도성과 열 전도성이 각각 30%, 25% 가량 높고, 금속간 화합물 형성이 적어 고온에서도 신뢰성이 높은 장점을 가지고 있다.

그 동안 구리 와이어 본딩의 단점으로 지적되어 온 본딩 패드에 가해지는 압력 및 이로 인한 웨이퍼 손상 문제는 앰코 테크놀러지(Amkor Technology) 등 주요 패키징 업체와의 긴밀한 기술협력을 통해 완전히 해결함으로써 보다 개선된 구리 와이어 본딩 기술을 선보이게 됐다.

매그나칩 이태종 전무는 “금 와이어 대체재를 찾던 고객들에게 가격 경쟁력 높은 구리 와이어 본딩 솔루션을 제공하게 됐다”며, “매그나칩과 손잡을 경우 구리 와이어 본딩 기술을 통해 20~30% 비용절감을 통한 윈-윈 협력관계 구축이 가능하다”고 말했다.