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매그나칩, 고밀도 내장형 플래시 메모리가 집적된 2세대 0.13micron BCD 공정 기술 제공

아날로그 및 혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션의 설계 및 제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 고밀도 내장형 플래시 메모리가 집적된 2세대 0.13micron BCD 공정 기술을 제공한다고 밝혔다. 이번 2세대 BCD 공정은 이전의 BCD 공정에 비해, 최대 64kilo byte의 고밀도 플래시 메모리, 최대 40V의 Low specific Ron of Power LDMOS 및 적은 수의 포토 스텝과 자동차 수준 신뢰성 등의 고급 기능을 제공한다. 이러한 특성을 통해, 이번 차세대 BCD 공정은 프로그래밍이 가능한 PMIC, 무선 전력 충전기 및 USB-C 전력 공급 IC 제품과 자동차 전력 IC에 매우 적합한 것이 특징이다.

기존 BCD 공정의 비휘발성 메모리는 트리밍을 위해 밀도가 256byte 이하 일만큼 낮았다. 하지만 오늘날의 전자 기기는 더욱 복잡한 기능과 낮은 전력 소모를 요구하고 있어, BCD공정의 고밀도 내장형 비 휘발성 메모리에 대한 시장 수요가 더욱 커졌다. 이러한 메모리에는 프로그래밍이 가능한 PMIC, 무선 충전기 및 USB-C 전력 공급 IC 등을 포함한 전력용 IC에 사용되는 플래시 메모리가 포함된다. 일부 애플리케이션에서는 64kilo byte 이상의 고밀도 플래시 메모리가 트리밍 데이터뿐 아니라, 프로그래밍 코드 저장을 위해 사용되고 있다. 지금까지, 다른 BCD 공정에서의 고밀도 내장형 메모리 구현의 단점은 전체 제조 공정수 증가에 있었다.

매그나칩은 공정 최적화를 통해, 1세대 대비 2세대 BCD 공정에서 8개의 포토 스텝을 축소할 수 있었다. 내장형 비휘발성 메모리 외에도, 2세대에서는 최대 40V 고전력 요구 조건에 적합한 전력 LDMOS관련 특정 Ron 성능 향상을 달성했다. IoT와 자동차용 애플리케이션의 경우, 이번 BCD 공정은 매우 낮은 누설 전류 수준과 저전력 소모가 가능한 1.5V와 5V CMOS 소자를 제공한다. 또한, 이번 신규 BCD 공정은 Hall Sensor, Varactor, Inductor 및 RF CMOS 소자에 적합한 다양한 옵션 소자들을 갖추고 있어 시스템 크기와 비용을 줄이는 고집적 IC 솔루션에 유용하다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “아날로그 기반 BCD와 고밀도 비휘발성 메모리의 결합은 스마트폰, IoT 장치 및 USB-C 애플리케이션에 사용되는 전력 관리 솔루션, 무선 충전기 및 전력 IC에 적합한 IC 및 시스템 설계를 가능하게 한다.”며, “매그나칩의 목표는 파운드리 고객의 변화하는 시장 요구 조건을 충족시킬 수 있는 전문화되고 혁신적인 공정 기술을 지속적으로 개발해 나가는 것”이라고 말했다.

매그나칩, Ultra-High Breakdown Voltage의 Capacitor용 Multi-Level Thick IMD 공정 제공

아날로그 및 혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션의 설계 및 제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 Ultra-High Breakdown Voltage를 갖는 Capacitor용 Multi-Level Thick IMD(Inter-Metal Dielectric) 공정을 제공한다고 밝혔다. 이 Capacitor는 전자회로의 디지털 절연 및 Capacitive Coupling에 유용한 것이 특징이다.

디지털 절연체에 대한 수요는 전기 자동차 및 산업, 통신, 헬스 케어 분야에서 흔히 볼 수 있는 Noise-Immune 전자제품에서 기존의 Optocoupler를 대신해 꾸준히 증가하고 있다. 디지털 절연체는 우수한 성능과 신뢰성을 보여 주며, Optocoupler에 비해 저렴한 비용으로 높은 수준의 집적도를 달성할 수 있다. 업계 분석기관은 전세계 디지털 절연체 시장이 2017년부터 2023년까지 연평균 성장률(CAGR) 6%를 기록해, 2023년에는 약 20억 달러 규모에 이를 것으로 예측했다.

매그나칩의 Multi-Level Thick IMD 공정은 각 금속 층이 5um에서 6um 두께의 IMD를 포함한 후처리 공정(Back-end-of-line) 모듈로 구성돼 있다. Breakdown 및 Capacitance 요구 사항에 따라, Thick IMD를 최대 3개층으로 쌓아서 절연체 두께가 5um에서 20um 사이인 금속-절연체-금속 Capacitor의 설계가 가능하다. 이 Capacitor는 Breakdown까지 4킬로에서 15킬로 전압까지 견딜 수 있어, 외부 환경의 초고전압 노이즈로부터 디지털 신호의 용량성 절연(Capacitive Isolation)에 적합하다.

이번 Multi-Level Thick IMD 공정 모듈은 이미 차량용 AEC Q-100 표준서 요구되는 신뢰성을 충족할 뿐만 아니라, 매그나칩의 0.18um BCD 혼성 신호 공정 기술에 통합 적용되었다. 또한, 칩 통합(On-Chip Integration)을 지원하기 위한 공정 디자인 킷(Process Design Kit) 역시 함께 제공된다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “지속 성장하고 있는 용량성 절연(Capacitive Isolation) 애플리케이션을 위한, 전문화된 Multi-Level Thick IMD 공정을 제공하게 된 것을 기쁘게 생각하며, 매그나칩은 이를 통해 기존의 다양한 전문 공정기술에 중요한 또 하나의 공정기술을 추가하게 되었다.”며, “매그나칩 파운드리 고객의 급변하는 요구를 충족시키기 위해, 혁신적이고 차별화된 기술을 지속적으로 제공해 나갈 것”이라고 밝혔다.

매그나칩, 공정 단순화한 0.35micron 700V Ultra-High Voltage 기술 제공

아날로그 및 혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션의 설계 및 제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 Photolithography 단계와 마스크 개수, 제조 기간 및 전력용 AC-DC 제품 비용을 절감한 0.35micron 700V Ultra-High Voltage (UHV) 공정기술을 제공한다고 밝혔다. 이번 UHV 공정은 AC-DC 컨버터와 LED 드라이버 IC제조에 적합한 700V nLDMOS, 700V JFET, 5.5V CMOS 소자에 적용되는 기술이다.

AC전력을 사용하는 가전 제품 수요가 지속 성장하면서, 고효율의 가격 경쟁력 높은 AC-DC 컨버터 IC, AC-DC 충전기 및 LED 드라이버 IC에 대한 수요가 증가하는 추세다. 매그나칩의 0.35micron 700V UHV공정기술은 이러한 유형의 전력 상품 제조에 적합한 기술이다.

매그나칩은 까다로운 고객 요구를 충족시킬 수 있는 다양한 유형의 UHV 기술을 제공하고 있다. 새로 개발된 UHV 공정 HP35ULB700은 공정 단순화를 통해, 매그나칩의 기존 UHV 기술에 비해 5개의 Photolithography 단계를 축소해, 제조 비용 절감하고 제품 출시 기간을 단축했다. 이번 HP35ULB700 공정의 적용 가능한 소자에는 700V low Ron nLDMOS, 500V nLDMOS, 700V JFET, 5.5V CMOS, BJT, 700V Register, BP Cap, MIM and fuse 등이 있으며, 이들 모두에 AC-DC 컨버터 IC와 LED 드라이버 IC 통합 솔루션 제공이 가능하다. 700V low Ron nLDMOS 소자의 경우, Specific-on-Resistance를 150mohm•cm2로 개선했으며, nLDMOS에서 Source와 Bulk를 연결 또는 분리할 수 있는 등의 다양한 설계 옵션을 제공한다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “매그나칩의 0.35micron 700V UHV 기술은 파운드리 고객에게 다양한 LED 조명 애플리케이션에 들어가는 AC-DC 컨버터 IC 및 LED 드라이버 IC를 위한 고성능, 고효율 제조 공정을 제공한다.”며, “매그나칩은 다양한 고객 요구를 충족시키기 위해, 추가적인 옵션 소자를 제공하는 고객 맞춤 UHV 공정을 포함한 새로운 UHV 기술을 지속적으로 개발해 나갈 것”이라고 밝혔다.

매그나칩, 대만에서 ‘2017 연례 파운드리 기술 심포지엄’ 개최

아날로그 및 혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션의 설계 및 제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 2017년 10월 25일 대만 쉐라톤 신주 호텔(Sheraton Hsinchu Hotel)에서 연례 파운드리 기술 심포지엄을 개최한다고 밝혔다.

이번 파운드리 기술 심포지엄은 매그나칩의 최신 기술을 선보이는 한편, 생산 능력과 전문 기술 공정, 타킷 애플리케이션 및 최종시장에 대한 깊이 있는 정보를 제공하기 위해 기획되었다. 또한, 심포지엄 기간 동안 현재와 미래 반도체 파운드리 산업 트랜드에 대한 논의와 주요 시장에 대한 통찰을 제시할 계획이다.

매그나칩은 이번 심포지엄을 통해, 고객이 설계 및 생산을 위해 사용하는 다음과 같은 매그나칩 고유의 파운드리 기술을 중점적으로 설명할 예정이다.

– 스마트폰, 테블릿, IoT Device용 오디오 혼성신호 IC, 지문 센서 IC, 마이크로폰 MEMS ASIC, 센서 IC, RF 스위치/튜너 및 LNA
– PMIC, DC-DC, PoE, USB PD, LED driver IC, IoT, 산업&자동차 애플리케이션용 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) & Hybrid (BCD integrated
with Non-Volatile Memory) 공정
– MCU, 터치 IC, 자동초점 IC, 보안 IC용 Embedded NVM 및 LED 조명, AC-DC용 UHV (Ultra High Voltage)

매그나칩의 기술 전문가와 영업 담당자가 고객을 직접 만나 자사의 고객 친화적 설계 환경에 대해서 자세히 소개할 예정이다.

매그나칩 김영준 대표이사는, “대만에서 개최되는 2017년 파운드리 기술 심포지엄은 우리의 파운드리 기술과 서비스가 고성장 시장을 겨냥한 최첨단 제품을 개발하는데 어떻게 사용될 수 있는지를 이해할 수 있는 좋은 기회가 될 것” 이라고 말했다.

이번 기술 심포지엄에는 120여 개 이상의 팹리스 및 IDM(Integrated Device Manufacturer), 그리고 다양한 반도체 기업들이 참석할 예정이다. 매그나칩 2016년 연례 파운드리 기술 심포지엄에 참가 신청 안내 및 상세 정보는 홈페이지 <www.magnachip.com> 또는 고객 온라인 서비스 시스템 <ifoundry.magnachip.com>을 통해 확인할 수 있다.

매그나칩, 세계최초 지문인식 센서 IC 기반 스마트 카드 생산을 위한

ELAN Microelectronics 파운드리 파트너사로 선정

아날로그 및 혼성신호 반도체 플랫폼 솔루션 설계 및 제조 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 ELAN Microelectronics로부터 세계 최초 지문 인식 센서 IC 기반의 스마트카드 생산을 위한 파운드리 파트너 기업으로 선정되었다고 밝혔다. 스마트 카드는 전세계적으로 심각해 지고 있는 신용 카드 사기 방지를 위한 보안 식별 생체 인식 기술을 사용한다. 이러한 센서 IC 기반의 스마트 카드는 매그나칩의 0.35micron 혼성신호 Thick IMD 제조 공정 기술을 통해 생산될 예정이다.

보다 정밀하고, 효율적인 저전력 IC에 대한 시장의 요구가 급격히 증가하면서, 다양한 애플리케이션에서 생체 인식 기술의 중요성이 높아져 왔다. 전문 조사기관 Frost & Sullivan은 생체 인식 산업이 2014년부터 2019년까지 연평균 17.4% 성장률을 기록할 뿐 아니라, 지문 인식 기반 센서 IC가 전체 시장의 66%를 차지할 것으로 예측했다.

매그나칩이 ELAN사 파운드리 파트너로 선정 된 가장 큰 이유는 업계서 인정 받은 전문 파운드리 제조 능력과 탄탄한 아날로그 성능을 갖춘 높은 신뢰도의 검증된 제조 공정 때문이다. 현재 매그나칩이 지문 인식 센서 IC에 적용 중인 기술에는 0.35micron, 0.18micron 1.8V/3.3V 및 단일 3.3V 혼성 신호 기술 공정 등이 있다. 매그나칩은 또한 제조 공정 포트폴리오 확대를 계획하고 있어, 0.18micron Slim 혼성 신호 제조 공정과 같이 타 공정 보다 더 적은 숫자의 Mask Layer가 요구되는 경쟁력 높은 최신 기술까지 포함될 예정이다. 매그나칩의 제조 공정은 금융, 의료, 교통 및 자동차 산업 등과 같은 급성장하는 지문 인식 기술 시장의 다양한 애플리케이션에 매우 적합한 공정이다.

ELAN사 I.H. Yeh CEO는 “매그나칩과 ELAN사의 긴밀한 협력 관계를 통해, 고객들에게 혁신적이면서 고품질의 제품을 지속적으로 제공할 수 있을 것으로 기대 한다.”며, “ELAN은 매그나칩과의 지속적인 전략적 제휴 관계가 양사 모두에 장기적으로 큰 이익을 가져다 줄 것으로 기대 한다.”고 말했다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “매그나칩과 ELAN 양사의 지속적인 협력 관계와 함께, 당사 0.35micron 혼성 신호 Thick IMD 기반 공정 기술을 활용한 지문 인식 센서 IC 제품 생산 증대를 발표하게 된 것을 매우 기쁘게 생각한다.”며, “이번 공정은 저전력 소비가 요구되는 스마트 카드에 최적화된 기술로, 매그나칩은 고성능 및 비용 효율적인 지문 인식 센서 IC 기술 솔루션을 지속적으로 개발해 나감으로써 늘어나는 파운드리 고객의 요구를 충족시켜 나갈 것 “이라고 밝혔다.

매그나칩, 미국에서 연례 ‘파운드리 기술 심포지엄’ 개최

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 2017년 6월 7일 캘리포니아 산타클라라 힐튼 호텔에서 연례 미국 파운드리 기술 심포지엄을 개최한다고 밝혔다.

이번 파운드리 기술 심포지엄은 매그나칩의 최신 기술을 선보이는 한편, 생산 능력과 전문 기술 공정, 타깃 애플리케이션 및 최종시장에 대한 깊이 있는 정보를 제공하기 위해 기획되었다. 또한, 심포지엄 기간 동안 현재와 미래 반도체 파운드리 산업 트랜드에 대한 논의와 주요 시장에 대한 초청 연사 강연도 함께 진행된다.

매그나칩은 이번 심포지엄을 통해, 자사의 전문 공정 기술에 대한 보다 면밀한 개요와 함께, RF 스위치 섹터 및 사물인터넷(IoT) 분야를 지원하는 Mixed-Signal 기술과 고성능 아날로그 및 전력 관리 애플리케이션용 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 기술을 포함한, 기술 포트폴리오 및 미래 로드맵을 제시할 예정이다. 또한, 매그나칩은 LED 조명 및 AC-DC 충전기와 같은 UHV (Ultra-High Voltage) 관련 애플리케이션과 Touch IC, 자동차 MCU 및 기타 고객 특화 애플리케이션과 같은 NVM (Non-Volatile Memory) 관련 기술도 함께 다룰 예정이다. 이와 함께, 이러한 기술들이 스마트폰, 태블릿 PC, 자동차 및 산업용 애플리케이션, LED 조명, 웨어러블 기기 등에 어떻게 활용되고 있는지를 보여줄 계획이다. 아울러, 매그나칩의 고객 친화적인 설계 환경과 온라인 고객 서비스 툴인 “iFoundry”에 대해서도 자세히 소개할 예정이다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “올해 미국에서 매그나칩 연례 파운드리 기술 심포지엄을 다시 개최하게 된 것을 매우 기쁘게 생각한다.”며, “참석자들이 파운드리와 애플리케이션 시장의 역학 관계와 매그나칩의 전문 공정 기술에 대해 깊이 이해할 수 있도록 할 예정”이라고 말했다. 매그나칩은 파운드리 고객에게 활용 및 제공 가능한 약 466 개의 독점적인 Process Flow를 가지고 있다.

이번 기술 심포지엄에는 100여 개 이상의 팹리스, IDM(Integrated Device Manufacturer) 및 다양한 반도체 기업들이 참석할 예정이다. 캘리포니아 산타클라라에서 개최되는 ‘매그나칩 연례 파운드리 기술 심포지엄’ 참가 신청 안내 및 상세 정보는 홈페이지 (www.magnachip.com) 또는 고객 온라인 서비스 시스템 (ifoundry.magnachip.com)을 통해 확인할 수 있다.

매그나칩, 향상된 스위칭 성능 탑재한 새로운 0.18micron RFSOI 2.5V 공정 출시

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 향상된 스위칭 성능의 새로운 0.18micron RFSOI 공정을 제공한다고 밝혔다. 이번에 출시된 2.5V 특화 스위치 중심 공정은 기존의 1.5V / 2.5V 공정에 대비해, 제조 비용 및 시장 진입 시간을 절감하는 동시에 무선 연결을 위한 모바일 및 IoT(Internet-of-Things)에 사용되는 안테나 스위치에 있어 경쟁력 있는 성능을 제공하는 것이 특징이다.

새로운 0.18micron 2.5V RFSOI 공정이 주는 가장 큰 이점은 비용 대비 높은 효율성에 있다. 이번 공정은 산업표준인 1P4M(1 Poly Silicon Layer & 4 Metal Layer) 대비, Metal 1에 알루미늄을 사용해 150fs의 Ron*Coff를 제공하고, Photo Step 수를 약 15% 줄였다. Mask Layer 수의 축소는 고객에게 비용 절감은 물론 팹 소요 시간을 줄여 제품 출시 기간을 단축할 수 있게 한다. Ron*Coff는 RF 스위치의 성능을 평가하는데 사용되는 성능 지수에 하나다.

또 다른 주요 이점은 Ron*Coff를 150fs로 유지하면서, 4V의 견고한 BV (Breakdown Voltage)를 갖는 다는 점이다. 높은 BV는 Stack 수를 감소시켜 칩 크기를 줄일 수 있다.

이와 함께, 이번 0.18micron RFSOI 공정은 2GHz에서 삽입 손실을 20 % 감소시키는 한편, 35dBm 전력 레벨에서 -60dBm보다 더 낮은 고조파 구현이 가능해 졌다. 이번 공정은 SP8T(Single Pole Eight Throw) 스위치를 통해 성공적으로 시연 되었으며, 고조파 왜곡을 억제하기 위해 Trap-rich의 고-저항성 기판을 기반으로 사용하고 있다. 또한 Floating body, Low leakage 와 같은 유용한 옵션과 함께, 추가적인 Transistor를 제공할 뿐 아니라, 다수의 RF 및 아날로그 기능을 더욱 작은 Die에 통합할 수 있도록해 약 18%의 면적 감소가 가능한 것이 특징이다. 아울러, 사용 가능한 공정 옵션에는 27-volt Metal-Inductor-Metal Capacitor, Geometry Scalable Inductor, High Resistivity Poly Resistor, MOS Varactor 및 풍부한 전력 처리를 위해 4micron 두께의 Thick Top Metal이 포함 된 최대 4 Layer Metal이 포함되었다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “매그나칩의 RFSOI 기술 포트폴리오에 스위치 중심 2.5V 공정이 추가 된 것은 매그나칩이 높은 가격 경쟁력을 갖춘 고성능의 RFSOI 공정을 필요로 하는 파운드리 고객을 위해 얼마나 노력하고 있는 지를 보여주는 또 다른 사례”라며, “우리는 글로벌 고객들의 늘어나는 높은 수준의 요구사항들을 충족시키기 위해, 지속적으로 차별화된 공정 제공은 물론 RFSOI 공정을 더욱 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.

매그나칩, 공정 단순화한 0.35micron 700V UHV 공정 기술 제공

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 생산 공정 단순화를 통해 생산 비용 및 시간을 절감한 0.35micron 700V Ultra High Voltage(UHV) 공정 기술을 출시한다고 밝혔다. 이번 UHV공정은 AC-DC Converter IC와 LED driver IC 생산에 이상적인 nLDMOS, 700V JFET, 30V n/pMOS(Vg=Vd=30V) 및 5.5V CMOS 소자에 적용되는 기술이다.

AC 전력을 사용하는 가전제품도 수없이 많지만, AC-DC 충전기, AC-DC Converter IC와 LED driver IC를 사용하는 고성능의 비용 민감도가 높은 수많은 제품의 고성장 시장 역시 존재하고 있다. 이러한 제품 들의 까다로운 기술 사양은 특히 산업용 조명 시장을 위한 AC-DC Converter IC 또는 LED Driver IC 제조에 사용되는 UHV 공정기술에 있어 커다란 가격 대비 성능 향상을 요구하고 있는 것이 사실이다.

매그나칩은 개선된 UHV 공정에 대한 까다로운 고객 요구를 충족시키기 위해 다양한 유형의 UHV 기술을 제공해오고 있다. 새롭게 개발된 UHV 공정인 HP35ULA700은 공정 단순화를 통해 Photolithography 스텝 4단계를 줄임으로써, 제조 비용을 절감하고, 기업의 출시시기를 앞당길 수 있게 되었다. HP35ULA700공정이 적용되는 소자들에는 700V Low Ron nLDMOS, 400V/500V nLDMOS, 700V JFET, 30V High Voltage Device, 5.5V CMOS, BJT, 700V Resistor, Fully Isolated 30V Diode, BP Cap, MIM and Fuse가 있다. 이 모든 소자들에는 AC-DC Converter IC와 LED driver IC의 통합 솔루션 제공이 가능하다. 700V Low Ron nLDMOS 소자의 경우, 이전 세대 매그나칩 UHV 기술과 비교할 때, 약 30% 낮은 150mohm·cm2의 개선된 Specific-On-Resistance를 제공한다. 또한, nLDMOS 에서 Source와 Bulk를 연결 또는 분리가 가능한 다양한 소자 설계 역시 가능하다. UHV소자는 단일 전원 30V를 Vg 및 Vd에 인가하는 구조로, 보다 단순한 회로로 제품 설계가 가능하다.

많은 고객사들이 이미 매그나칩의 0.35micron 700V UHV 공정 기술을 채택하고 있으며, 현재 여러 고객사와 설계가 진행 중에 있다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “우리의 0.35micron 700V UHV 공정 기술은 파운드리 고객에게 다양한 산업 조명 애플리케이션용 AC-DC Converter IC 및 LED Driver IC를 위한 고성능, 고효율의 제조 공정을 제공한다.”며, “매그나칩은 다양한 고객의 요구사항을 충족시키기 위해, 고객별 UHV 공정과 high-side UHV 공정 등 새로운 UHV 기술을 지속적으로 개발할 것” 이라고 밝혔다.

매그나칩, 0.13micron EEPROM 기반의 무선 애플리케이션용 RF-CMOS 공정 기술 출시

아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업인 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 0.13micron EEPROM기반의 RF-CMOS 기술을 출시했다고 밝혔다. 이번 RF-CMOS 공정은 P타입 기판(Substrate)을 사용해 개발되었으며, 무선 애플리케이션용으로 맞춤화된 것이 특징이다.

매그나칩이 0.13micron EEPROM기반의 RF-CMOS 기술을 개발하게 된 가장 큰 목적은 주요 무선 통신 기술로 BLE(Bluetooth Low Energy)를 빈번하게 사용하는 스마트 MCU 제품을 지원하기 위한 것이다. Bluetooth Smart로도 불리는 BLE는 2.5GHz 주파수 대역을 사용해 10m 반경 내 도달 가능한 Bluetooth 기술로, 저전력 저용량 데이터 송수신이 가능하다. 매그나칩은 이런 시장 요구에 부응하기 위해, 0.13micron EEPROM공정을 기반으로 Smart Wireless MCU제품에 적용 가능한 RF소자가 내장된 공정을 개발 했다. 소비전력이 낮은 매그나칩의 이번 기술은 Smart Watch, Smart Remote Controller, Toy, Beacon, Wearable, 3D Glasses, Sensor Hub Wireless Charger 등 스마트 무선 MCU를 사용하는 다양한 애플리케이션에 적용 가능하다.

또한, 매그나칩의 RF-CMOS기술에는 EEPROM IP를 포함한 RF-CMOS소자, Passive소자 등 필수 구성 요소들이 포함되어 있으며, 이중 EEPROM IP는 64K 바이트에 이르는 고밀도까지 사용 가능하다. 이와 함께, RF 설계를 위한 CMOS, HR Resister, MIM Capacitor, MOM Capacitor, Varactor Diode 및 Inductor 등에 대한 RF modeling이 완료되었으며, RF 디자인을 위해 4micron 두께의 메탈 공정도 개발되었다. 특히, 트랜지스터의 RF 성능 개선을 위해, low Vt N/PMOS도 함께 개발되었다.

매그나칩은 효율적 전력 소비와 다양한 적용 가능성이란 이점을 최대한 활용하기 위해, 다양한 RF-CMOS기술을 개발해 왔으며, 2017년부터 본격적인 양산에 돌입할 예정이다. 매그나칩은 RF-SOI와 RF-CMOS 공정 제공을 통해, RF 공정 전문 파운드리 기업이 되기 위한 의미 있는 발전을 이룬 것으로 평가된다. 관련 산업 전문가들에 따르면, Smart Home 분야의 Smart Wireless MCU제품 사용이 지속적으로 증가하고 있어, 향후 MCU시장의 높은 성장이 예상되고 있다.

매그나칩 김영준 대표이사는, “Smart Wireless MCU시장 애플리케이션용으로 매그나칩의 0.13micron EEPROM 기반 RF-CMOS기술을 제공하게 된 것을 매우 기쁘게 생각한다”며, “경쟁력 있는 공정기술과 IP를 지속적으로 개발해 성장 시장의 필요에 부응하는 한편, 기술 포트폴리오를 다양화함으로써, 파운드리 고객의 다양한 애플리케이션 별 요구를 만족시켜 나갈 것이다” 라고 밝혔다.