2024년 6일 10일, 매그나칩믹스드시그널 유한회사(이하 ‘매그나칩믹스드시그널’)는 IT 기기 디스플레이의 다양한 전압과 시그널을 조절하는 다기능 전력관리반도체(PMIC: Power Management Integrated Circuit)와 멀티 채널 레벨 시프터를 출시했다고 밝혔다.

 

Magnachip Mixed-Signal's New Power Management IC and Level Shifter for IT Panels_word_kr

 

매그나칩믹스드시그널은 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’)의 자회사로서, TV용 BLU(Back Light Unit) LED 드라이버, LED 조명 드라이버 등을 포함한 다양한 전력 반도체를 10년 이상 개발하고 공급해 왔다. 매그나칩믹스드시그널 제품의 품질은 메이저 TV 제조업체, OLED 패널 업체, 그리고 스마트폰 제조업체들과의 성공적인 협력과 결과물로 검증되었고, 매그나칩믹스드시그널은 이를 기반으로 전 세계에 고객층을 확보하고 있다.

매그나칩은 2019년부터 전력관리반도체와 레벨 쉬프터 연구 및 개발을 진행해 왔다. 이두 제품은 이러한 매그나칩의 기술력이 집약되어 높은 효율성, 저전력 소모, 다기능, 멀티 채널 등의 성능을 제공한다.

다기능 전력관리반도체는 빌트인 컨트롤러, 스위치, 로직 회로, 부스트 레귤레이터 2개, 네거티브 LDO(low-dropout) 레귤레이터 2개, 전압 강하용 고전류 레귤레이터 3개, 포지티브 연산 증폭기 2개 등이 통합된 단일 칩으로 개발되었다. 또한, I²C*를 이용하여 가변 전압 관리, 내장형 On/Off 배열 조절, 보호 회로, 스위치 주파수 가변 등이 가능하다. 이 전력관리반도체로 애플리케이션의 효율성은 높아지고 전력 소모는 감소하여 IT 기기의 하이엔드 디스플레이 작동에 필요한 전력이 안정적으로 공급된다.

멀티 채널 레벨 쉬프터는 24개 이상의 스위치 On/Off 전압을 변환하여 신호를 효율적으로 조정한다. 그래서, 고해상도 디스플레이는 물론, UHD 패널에서 필요한 엄격한 채널 요구사항을 충족한다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩믹스드시그널 파워 솔루션은 IT 디스플레이 시장에 최적의 솔루션을 제공할 것”이라며 “앞으로도 계속해서 적기에 제품을 개발 및 공급하여 매그나칩의 성공적인 사업 역사를 이어 나갈 것”이라고 말했다.

 


*I²C: I2C 또는 IIC로도 알려진 동기식 멀티 컨트롤러/멀티 타겟 단일 종단 직렬 통신 버스.

 

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매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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   매그나칩믹스드시그널, IT 기기 디스플레이용 전력관리반도체 및 레벨시프터 공개

-매그나칩 차량용 MOSFET과 IGBT 제품 시리즈로 다수의 메이저 글로벌 자동차 제조사로부터 디자인 윈 획득

-이번에 출시된 40V MXT MV MOSFET은 자동차 모터 제어 시스템에 최적화

 

2024년 4월 30일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 차량용 40V 1)MXT MV MOSFET 신제품을 공개했다. 이번 제품 출시로 매그나칩은 다양한 자동차 애플리케이션에 탑재되는 13개의 MOSFET 및 IGBT 제품 라인업을 확보하게 되었다(하기 표 참조).

자동차 산업에서 자율주행, 인포테인먼트 시스템 등과 같은 고도의 모빌리티 기술을 도입하면서, 고효율 전력 반도체에 대한 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 2024년부터 2027년까지 차량용 전력 디스크리트(Power Discrete) 시장은 연평균 14% 성장할 것으로 예상된다.

매그나칩은 2022년 4월 첫 번째 차량용 반도체 제품으로 40V MOSFET을 출시하면서 본격적으로 자동차 전력 반도체 시장에 진입했다. 그 이후, 30V, -40V (2)P-channel MOSFET), 60V 및 250V MOSFET을 시장에 공급해 왔고, 지난 2023년 9월에는 자동차 PTC 히터 및 전기 컴프레셔(E-Compressor)용 650V 및 1200V IGBT 제품을 발표했다. 지난 2년 간, 매그나칩의 전력 반도체는 미국, 한국, 일본, 그리고 중국 주요 자동차 제조사의 차량에 탑재되어 왔다.

매그나칩의 우수한 MOSFET 기술 기반으로 개발된 40V MXT MV MOSFET(AMDD040N055RH)은 DPAK(Decawatt Package) 패키지를 적용하여 모터 제어 시스템 그리고 파워 시트 모듈(Power Seat Module)과 전자식 자세 제어 장치(Electric Stability Control)의 역전압 보호(Reverse Battery Protection) 등 광범위한 차량용 애플리케이션에 적용될 수 있다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 변화하는 자동차 영역의 수요를 충족하는 프리미엄 제품을 공급하는 데에 노력을 기울이고 있다”라며 “기술 혁신, 안정적인 공급과 다양한 제품 구성으로 자동차 업계에서 입지를 강화하고 글로벌 시장을 확대해 갈 것”이라고 말했다.

 

Magnachip’s Automotive Solutions_ko

 


1)MXT(Magnachip eXtreme Trench) MOSFET: 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET으로 LV (low-voltage) trench MOSFET 및 MV (medium-voltage) trench MOSFET 제품 라인의 통칭

2)P-채널 MOSFET: N-채널 MOSFET과는 달리 P-채널 MOSFET에 전류가 흐르기 위해서는 게이트 전압이 소스보다 낮아야 하므로 드레인-소스 전압은 일반적으로 음으로 표기(예: -40V).

 

Magnachip’s automotive MOSFET product family_kr

 

Magnachip’s automotive IGBT product family_kr

 

관련 링크

매그나칩 차량용 전력 반도체에 대한 상세한 제품 정보는 https://www.magnachip.com/kr/automotive-solutions에서 확인하실 수 있습니다.

 

관련 기사

매그나칩, 자동차 전동식 파워 스티어링 전자 제어 장치용 30V MXT LV MOSFET 신제품 본격 양산

매그나칩, 필드 스톱 트렌치 기술로 업그레이드된 1200V 및 650V IGBT 신제품으로 전기차 시장 공략

 

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   매그나칩, 40V MXT MV MOSFET 신제품 출시

– 높은 강건성을 가진 30V MXT LV MOSFET으로 전동식 파워 스티어링에 안정적인 전력 공급

 

2023년 12월 18일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 자동차 전동식 파워 스티어링(EPS: Electric Power Steering)의 전자 제어 장치(ECU: electronic control unit)에 사용되는 30V *MXT LV MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)를 양산하기 시작했다고 밝혔다. 현재 이 제품은 글로벌 자동차 제조사의 차량 모델에 탑재되고 있다.

매그나칩 차량용 30V MXT LV MOSFET 신제품
매그나칩 차량용 30V MXT LV MOSFET 신제품

 

현재 양산되고 있는 30V MXT LV MOSFET(AMDV030N150URH) 신제품은 전기 모터를 이용해 차량의 방향 전환 능력을 보조하는 전동식 파워 스티어링에 안정적인 전력을 공급한다. 이 제품은 엄격한 AEC-Q101 차량용 반도체 신뢰성 기준을 충족하며, -55°C~175°C의 광범위한 온도 범위에서 안정적으로 동작한다.

이번 신제품은 두꺼운 게이트 산화물에 강건성이 높은 MOSFET 구조를 적용하여 낮은 온저항과 우수한 스위칭 특성을 제공한다. 이러한 특성으로 애플리케이션에서 발생하는 스위칭 잡음이 줄고 높은 전력 효율로 인해 시스템 성능이 향상된다. 또한, 3.3mm x 3.3mm의 PDFN33 패키지로 제품 크기가 작아지면서 전자 제어 장치의 소형화 설계가 용이해졌다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 차별화된 기술력을 통해 콤팩트한 크기에 높은 신뢰성을 보유한 전동식 파워 스티어링 전자 제어 장치용 MOSFET 제품을 출시했다”라며, “앞으로도 엄격한 품질 관리와 혁신적인 기술로 완성된 차량용 파워솔루션을 글로벌 자동차 부품 업체에 적기에 공급하면서 전장 시장을 적극적으로 확대해 갈 것”이라고 말했다.

 

매그나칩 차량용 30V MXT LV MOSFET 신제품

 

 


*MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): 매그나칩의 최신Trench MOSFET 제품군 중 12V~40V MOSFET

 

 

관련 링크

Power Solutions > MXT MOSFETs > 30V

 

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   매그나칩, 자동차 전동식 파워 스티어링 전자 제어 장치용 30V MXT LV MOSFET 신제품 양산

– PDFN88 패키지를 적용한 SJ MOSFET 추가로 슬림 폼팩터 제품 포트폴리오 확대

 

2023년 10월 31일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)가 650V SJ MOSFET(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 신제품 2종 양산에 돌입했다고 밝혔다.

Magnachip introduces two 650V SJ MOSFETs packaged in a PDFN88 + logo매그나칩 650V SJ MOSFET 신제품 2종

 

이번 650V SJ MOSFET 신제품 2종(MMUB65R090RURH, MMUB65R115RURH)에는 PDFN88 패키지를 적용하여 두께와 크기를 크게 줄였다. 두께는 D2PAK 제품 대비 81%, DPAK 제품 대비 63% 정도 얇아졌으며, 실장 면적은 D2PAK SJ MOSFET의 41% 수준으로 작아졌다.

PDFN88 패키지로 새롭게 업그레이드된 이번 신제품 2종은 뛰어난 설계 유연성, 높은 효율의 열 방출 성능 및 낮은 온저항(RDS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항) 특성으로 OLED TV, 서버, 조명, 노트북 충전기, 어댑터 등 콤팩트한 사이즈와 높은 효율성이 필수적인 애플리케이션에 광범위하게 적용 가능하다.

 

PDFN88 패키지 650V SJ MOSFET 신제품 2종

 

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 PDFN88 패키지 650V SJ MOSFET 2종의 성공적인 양산을 기점으로 앞으로도 새로운 패키지 기술로 성능을 획기적으로 개선한 파워솔루션을 지속적으로 개발할 계획이다”라며, “확장된 제품 포트폴리오와 엄격한 품질 관리로 전자 제품 시장을 확장해 갈 것”이라고 말했다.

 

 

관련 링크

Power Solutions > SJ MOSFETs > 650V

 

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    매그나칩, 슬림 폼 팩터 650V SJ MOSFET 신제품 2종 양산

– 175mΩ의 낮은 온저항으로 서버 및 OLED TV의 기술적 요구 사항을 효율적으로 충족

 

2023년 10월 30일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 미세 공정 기술 기반으로 온저항을 획기적으로 낮춘 6세대 600V SJ MOSFET(Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)을 출시했다고 밝혔다.

Magnachip Introduces 6th-Generation 600V SJ MOSFET

매그나칩의 6세대 600V SJ MOSFET

 

이번 6세대 600V SJ MOSFET(MMD60R175S6ZRH)에는 180nm의 미세 공정 기술과 매그나칩의 최신 소자 설계 기술이 도입되었다. 이 기술을 통해 기존 세대 대비 SJ MOSFET 셀 간격을 50% 축소하고 온저항(RDS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항)은 42% 낮추었다. 그래서, 동일한 DPAK(Decawatt Package)에 175mΩ의 낮은 온저항과 높은 전력 밀도를 구현했다.

또한, 기존 세대 제품에 비해 게이트 총 전하량(Total Gate Charge)이 29%가량 감소하여 스위칭 손실이 줄고 전력 효율은 개선되었다. 효율적인 에너지 사용으로 애플리케이션이 유연하게 설계될 수 있다는 점도 이번 제품 특징 중 하나이다.

그리고, 이번 신제품에는 애플리케이션에서 MOSFET이 높은 외부 서지나 정전기 방전(ESD: Electrostatic discharge)에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해 게이트와 소스 사이에 제너 다이오드를 내장하여 견고성과 신뢰성을 크게 높였다.

이번 제품은 고효율, 설계 용이성, 안정성 등 뛰어난 제품 특성으로 서버, OLED TV, 노트북 충전기 등 다양한 애플리케이션에 적용 가능하다. 시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 서버 출하량은 2023년에서 2027년까지 매년 8% 성장하고, 동기간 OLED TV 출하량은 매년 11% 증가하여 2027년에는 930만 대에 달할 것으로 예측된다.

매그나칩 김영준 부회장은 “이번 제품 출시에 이어 2024년에는 고속 바디 다이오드를 탑재한 제품 등 6세대 SJ MOSFET 신제품을 추가로 발표할 계획이다”라며, “매그나칩은 고객 요구에 기반한 끊임없는 기술 혁신으로 업계 경쟁력을 확고히 하면서 글로벌 시장에서 입지를 강화해 나갈 것”이라고 말했다.

 

 

관련 링크

Power Solutions > SJ MOSFETs > 600V

 

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    매그나칩, 미세 공정 기술로 업그레이드된 6세대 600V SJ MOSFET 공개

 

– D2PAK-7L 및 PDFN56 패키지 제품 추가로 8세대 MXT MV MOSFET 제품 포트폴리오 확장

 

2023년 10월 10일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’)(NYSE:MX) 는 8세대 트렌치 MOSFET 기술 기반의 150V *MXT MV MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 2종을 출시했다고 밝혔다.

매그나칩 8세대 150V MXT MV MOSFET 2종 공개
매그나칩 8세대 150V MXT MV MOSFET 2종 공개

 

소비 전력이 높은 기기에서 전력 소모 절감과 제품 안정성 개선을 위해 에너지 효율은 매우 중요하다. 이번에 출시된 8세대 150V MXT MV MOSFET 2종(MDES15N056PTRH, MDU150N113PTVRH)는 매그나칩의 첨단 트렌치 MOSFET 기술을 적용했다. 특히, MDES15N056PTRH는 이전 세대 제품과 비교해 온저항(RDS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항)을 22% 줄여서 애플리케이션의 에너지 효율을 크게 높였다.

그리고, 코어 셀과 칩 종단부 설계를 개선하여 기존 세대 제품과 비교해 성능 지수 (Figure of Merit: 온저항 x Qg)가 MDES15N056PTRH는 23%, MDU150N113PTVRH은 39% 개선되었다.

또한, 표면 실장형(Surface-Mount Device) 타입의 D2PAK-7L(TO-263-7L) 및 PDFN56 패키지를 적용하여 제품 크기까지 줄였다. 그래서, 모터 제어기, 배터리 관리 시스템(BMS: Battery Management System), 가정용 태양광 인버터, 산업용 전원 장치 등 다양한 애플리케이션의 설계 요구 사항에 유연하게 대응할 수 있다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 작년에 8세대 200V 및 150V MOSFET 5종 출시에 이어 이번에 새로운 패키지를 적용한 150V MXT MOSFET 제품 2종을 출시했다.”라며, “향후 180nm 공정 기술 기반의 신제품을 추가적으로 발표하고 고효율 MXT MOSFET 제품 포트폴리오를 지속적으로 확대해 나갈 계획”이라고 말했다.

 

8세대 MXT MV MOSFET시리즈

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*MXT MV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Medium Voltage MOSFET): 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군 중 40V~200V MOSFET

 

관련 링크

Power Solutions > MXT MOSFETs > 150V

 

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     매그나칩, 8세대 150V MXT MV MOSFET 2종 공개

– 전기차 PTC 히터용 1200V, 650V IGBT 본격 양산

 

2023년 9월 11일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 전기차 PTC(Positive Temperature Coefficient) 히터용 1200V와 650V IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)를 출시했다고 밝혔다.매그나칩 전기차 PTC 히터용 IGBT 신제품

이번에 출시된 AMBQ40T120RFRTH(1200V)와 AMBQ40T65PHRTH(650V)에는 매그나칩이 독자 개발한 첨단 필드 스탑 트랜치 기술을 도입하여 최소 10µs 동안의 단락으로부터 회로를 보호한다. 이러한 높은 강건성은 PTC 히터가 과부하 상태에서 영구적으로 손상되는 것을 방지한다.

또한, 이번 신제품은 TO-247 패키지를 적용하여 두껍고 넓은 히트싱크(방열판)으로 뛰어난 열 분산 능력을 보여준다. 그래서, 전기차 PTC 히터와 같이 높은 전력과 효율성이 필수적인 애플리케이션에 최적화되어 있다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 작년 초부터 엄격한 AEC-Q101 차량용 반도체 신뢰성 기준에 부합하는 고성능 파워솔루션을 출시해 왔다”라며, “이번에 처음으로 전기차용 IGBT를 출시한 데 이어 앞으로도 지속적인 제품 라인업 확장으로 전장 시장의 다양한 수요에 적극 대응할 계획”이라고 말했다.

매그나칩 전기차 PTC용 IGBT 신제품

관련 링크

Power Solutions > IGBT Chip for Standard Module > 1200V

 

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    매그나칩, 필드 스톱 트렌치 기술로 업그레이드된 1200V 및 650V IGBT 신제품으로 전기차 시장 공략

2023년 7월 10일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)가 슈퍼 쇼트 채널 기술(Super-Short Channel) 기반의 배터리 보호 회로용 *MXT LV MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 4종을 발표하면서 모바일 기기 배터리 보호 회로용 7세대 MXT LV MOSFET 라인업 확대에 나섰다.

 

Family of 7th-generation MXT LV MOSFETs
매그나칩 7세대 MXT LV MOSFET 시리즈

 

슈퍼 쇼트 채널은 MOSFET이 동작할 때 전류가 흐르는 채널의 길이를 획기적으로 줄여 온저항(Ron: MOSFET이 ON 동작할 때의 저항)을 낮추는 매그나칩의 최신 설계 기술로, 이 기술을 통해 이번에 공개되는 MOSFET 4종의 온저항이 이전 세대 제품과 비교해 24~40% 낮아졌다. 그 결과, 배터리가 충전되거나 방전될 때 전력 소모가 낮아져 애플리케이션의 배터리 성능이 개선된다.

또한, 매그나칩은 애플리케이션의 스펙과 배터리 용량에 근거한 맞춤형 설계 서비스를 제공하기 때문에 MOSFET 크기도 제품별로 이전 세대 대비 5~20% 정도 작아질 수 있다.

매그나칩의 MXT LV MOSFET 시리즈는 이러한 기술적 특성, 유연한 설계, 그리고 콤팩트한 크기로 프리미엄 폴더블폰은 물론 무선 이어폰 등 다양한 모바일 기기의 요구사항을 충족한다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 올해 배터리 보호회로용 MXT LV MOSFET 제품 5종을 출시했다”라며, “앞으로도 다양한 모바일 기기에 뛰어난 전력 효율성과 성능을 제공하는 프리미엄 MOSFET 제품을 계속해서 연구 개발하여 시장 입지를 강화해 나갈 것”이라고 말했다.

 


*MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군 중 12V~40V MOSFET

 

제품 특성

  • 7세대 실리콘 트렌치 기술 적용
  • 이전 세대 제품과 비교해 24~40% 낮은 온저항(Ron)
  • 낮은 전하량으로 개선된 스위칭 속도
  • 뛰어난 열처리 기능
  • 다양한 모바일 기기에 탑재 가능

 

 

관련 링크

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 12V

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 24V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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     매그나칩, 모바일 기기 배터리 보호 회로용 MXT LV MOSFET 라인업 확대

– 4mΩ의 낮은 온저항 특성을 가진 40V MXT MOSFET으로 차량의 효율적인 에너지 전환

 

2023년 6월 12일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 자동차 에너지 회수 시스템(ERS: Energy Recovery System)에 탑재되는 40V 1)MXT MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)를 양산하기 시작했다고 밝혔다. 이 제품은 현재 글로벌 자동차 모델에 적용되고 있다.

 

40V MXT MOSFET

 

자동차 에너지 회수 시스템은 감속 시 발생하는 에너지를 저장하여 공조 장치, 오디오 등에 필요한 전력을 공급하는 장치이다. 이 시스템을 통해 자동차에 사용되는 연료가 절약되고 배기가스 배출량도 감소하게 된다.

AMDU040N014VRH(40V MXT MOSFET)는 PDFN(Power Dual Flat No-lead)56 패키지와 개선된 코어 셀 및 칩 종단부 설계로 1.4mΩ의 낮은 2)온저항(RDS(on))을 구현하여 에너지 회수 시스템의 효율적인 에너지 변환을 지원한다. 그리고, 175℃의 접합 온도와 우수한 애벌런치 내구성 특성으로 시스템 내부의 전력 밀도와 효율성을 높인다.

이번 제품에는 PDFN56 패키지를 적용하여 DPAK(Decawatt Package)을 사용한 40V MXT MOSFET 제품에 비해 크기를 80% 정도 줄였다. PDFN56 패키지는 범용성이 높기 때문에 전기차의 전력 효율을 높여주는 회생제동 시스템(RBS: Regenerative Braking System)에 탑재 가능하다. 또한, 내연기관차의 역전압 보호 회로(RVP: Reverse Voltage Protection), BLDC 모터 등 다양한 차량용 애플리케이션에 사용될 수 있다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “엄격한 AEC-Q101 차량용 반도체 신뢰성 기준에 부합하는 또 다른 혁신적인 자동차 파워 솔루션을 양산하게 되어 기쁘다.”라며, “매그나칩은 오랫동안 축적된 전력 반도체 기술력과 프리미엄 제품을 기반으로 전장 시장을 본격적으로 확대해 갈 것”이라고 말했다.

 

 


1)MXT MOSFET(Magnachip eXtreme Trench MOSFET): LV MOSFET과 MV MOSFET(12V to 200V)를 포함한 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군

2)온저항(RDS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

 

관련 링크

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 40V

 

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     매그나칩, 자동차 에너지 회수 시스템용 40V MXT MOSFET 양산

– 44mΩ의 낮은 *온저항(RDS(on)) 특성을 가진 전기차 충전기 및 서버용 600V SJ MOSFET 출시

2023년 5월 2일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 9종 신제품으로 구성된 600V SJ MOSFET (Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 시리즈를 출시했다고 밝혔다.

매그나칩 600V SJ MOSFET 시리즈

 

매그나칩은 이번에 출시된 600V SJ MOSFET 시리즈에 독자 개발한 소자 설계 기술을 도입하여 이전 세대 제품 대비 셀 간격은 그대로 유지하면서 단위 면적당 저항값 (RSP: Specific on-resistance)을 10% 정도 낮추었다.

이번 SJ MOSFET 시리즈에서 주목할 만한 점은 전 제품에 고속 바디 다이오드(fast recovery body diode)가 내장되었다는 것이다. 이 다이오드 기술로 역방향 회복 시간 (trr: reverse recovery time)과 스위칭 손실이 감소하여 시스템 효율이 획기적으로 개선되었다. 그래서, 이전 세대 제품과 비교해 성능 지수(FOM: Figure of Merit)도 10% 이상 향상되어 태양광 인버터, 에너지 저장 시스템, 무정전 전원 설비(UPS: Uninterruptible Power Supply System) 등 산업용 애플리케이션과 다양한 전자 제품에 적용될 수 있다.

특히, 이번 신제품 중 MMQ60R044RFTH는 44mΩ의 낮은 온저항 특성을 가지고 있어 높은 에너지 효율성과 신뢰성이 요구되는 전기차 충전기와 서버에 최적화되어 있다. 시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 2023~2026년 실리콘 모스펫 시장은 하이브리드 및 전기차와 서버 부문에서 매년 각각 11%, 7%가량 성장할 것으로 예측된다.

매그나칩 김영준 부회장은 “이번에 600V SJ MOSFET 시리즈를 출시한 데 이어 올해 하반기에는 고속 바디 다이오드를 탑재한 650V와 700V SJ MOSFET 신제품을 추가적으로 공개할 계획이다”라며, “고객과 시장의 요구를 만족시키는 고성능 차세대 파워 솔루션을 지속적으로 공급하여 고객 시장 확대에 기여할 것”이라고 말했다.

 

 


* 온저항(RDS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

 

600V SJ MOSFET 시리즈

New Family of 600V SJ MOSFET Products

 

관련 링크

파워솔루션 > SJ MOSFETs > 600V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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     매그나칩, 고속 바디 다이오드 탑재한 600V SJ MOSFET 시리즈 출시