2023년 7월 10일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)가 슈퍼 쇼트 채널 기술(Super-Short Channel) 기반의 배터리 보호 회로용 *MXT LV MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 4종을 발표하면서 모바일 기기 배터리 보호 회로용 7세대 MXT LV MOSFET 라인업 확대에 나섰다.

 

Family of 7th-generation MXT LV MOSFETs
매그나칩 7세대 MXT LV MOSFET 시리즈

 

슈퍼 쇼트 채널은 MOSFET이 동작할 때 전류가 흐르는 채널의 길이를 획기적으로 줄여 온저항(Ron: MOSFET이 ON 동작할 때의 저항)을 낮추는 매그나칩의 최신 설계 기술로, 이 기술을 통해 이번에 공개되는 MOSFET 4종의 온저항이 이전 세대 제품과 비교해 24~40% 낮아졌다. 그 결과, 배터리가 충전되거나 방전될 때 전력 소모가 낮아져 애플리케이션의 배터리 성능이 개선된다.

또한, 매그나칩은 애플리케이션의 스펙과 배터리 용량에 근거한 맞춤형 설계 서비스를 제공하기 때문에 MOSFET 크기도 제품별로 이전 세대 대비 5~20% 정도 작아질 수 있다.

매그나칩의 MXT LV MOSFET 시리즈는 이러한 기술적 특성, 유연한 설계, 그리고 콤팩트한 크기로 프리미엄 폴더블폰은 물론 무선 이어폰 등 다양한 모바일 기기의 요구사항을 충족한다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 올해 배터리 보호회로용 MXT LV MOSFET 제품 5종을 출시했다”라며, “앞으로도 다양한 모바일 기기에 뛰어난 전력 효율성과 성능을 제공하는 프리미엄 MOSFET 제품을 계속해서 연구 개발하여 시장 입지를 강화해 나갈 것”이라고 말했다.

 


*MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군 중 12V~40V MOSFET

 

제품 특성

  • 7세대 실리콘 트렌치 기술 적용
  • 이전 세대 제품과 비교해 24~40% 낮은 온저항(Ron)
  • 낮은 전하량으로 개선된 스위칭 속도
  • 뛰어난 열처리 기능
  • 다양한 모바일 기기에 탑재 가능

 

 

관련 링크

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 12V

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 24V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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     매그나칩, 모바일 기기 배터리 보호 회로용 MXT LV MOSFET 라인업 확대

– 4mΩ의 낮은 온저항 특성을 가진 40V MXT MOSFET으로 차량의 효율적인 에너지 전환

 

2023년 6월 12일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 자동차 에너지 회수 시스템(ERS: Energy Recovery System)에 탑재되는 40V 1)MXT MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)를 양산하기 시작했다고 밝혔다. 이 제품은 현재 글로벌 자동차 모델에 적용되고 있다.

 

40V MXT MOSFET

 

자동차 에너지 회수 시스템은 감속 시 발생하는 에너지를 저장하여 공조 장치, 오디오 등에 필요한 전력을 공급하는 장치이다. 이 시스템을 통해 자동차에 사용되는 연료가 절약되고 배기가스 배출량도 감소하게 된다.

AMDU040N014VRH(40V MXT MOSFET)는 PDFN(Power Dual Flat No-lead)56 패키지와 개선된 코어 셀 및 칩 종단부 설계로 1.4mΩ의 낮은 2)온저항(RDS(on))을 구현하여 에너지 회수 시스템의 효율적인 에너지 변환을 지원한다. 그리고, 175℃의 접합 온도와 우수한 애벌런치 내구성 특성으로 시스템 내부의 전력 밀도와 효율성을 높인다.

이번 제품에는 PDFN56 패키지를 적용하여 DPAK(Decawatt Package)을 사용한 40V MXT MOSFET 제품에 비해 크기를 80% 정도 줄였다. PDFN56 패키지는 범용성이 높기 때문에 전기차의 전력 효율을 높여주는 회생제동 시스템(RBS: Regenerative Braking System)에 탑재 가능하다. 또한, 내연기관차의 역전압 보호 회로(RVP: Reverse Voltage Protection), BLDC 모터 등 다양한 차량용 애플리케이션에 사용될 수 있다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “엄격한 AEC-Q101 차량용 반도체 신뢰성 기준에 부합하는 또 다른 혁신적인 자동차 파워 솔루션을 양산하게 되어 기쁘다.”라며, “매그나칩은 오랫동안 축적된 전력 반도체 기술력과 프리미엄 제품을 기반으로 전장 시장을 본격적으로 확대해 갈 것”이라고 말했다.

 

 


1)MXT MOSFET(Magnachip eXtreme Trench MOSFET): LV MOSFET과 MV MOSFET(12V to 200V)를 포함한 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군

2)온저항(RDS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

 

관련 링크

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 40V

 

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     매그나칩, 자동차 에너지 회수 시스템용 40V MXT MOSFET 양산

– 44mΩ의 낮은 *온저항(RDS(on)) 특성을 가진 전기차 충전기 및 서버용 600V SJ MOSFET 출시

2023년 5월 2일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 9종 신제품으로 구성된 600V SJ MOSFET (Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 시리즈를 출시했다고 밝혔다.

매그나칩 600V SJ MOSFET 시리즈

 

매그나칩은 이번에 출시된 600V SJ MOSFET 시리즈에 독자 개발한 소자 설계 기술을 도입하여 이전 세대 제품 대비 셀 간격은 그대로 유지하면서 단위 면적당 저항값 (RSP: Specific on-resistance)을 10% 정도 낮추었다.

이번 SJ MOSFET 시리즈에서 주목할 만한 점은 전 제품에 고속 바디 다이오드(fast recovery body diode)가 내장되었다는 것이다. 이 다이오드 기술로 역방향 회복 시간 (trr: reverse recovery time)과 스위칭 손실이 감소하여 시스템 효율이 획기적으로 개선되었다. 그래서, 이전 세대 제품과 비교해 성능 지수(FOM: Figure of Merit)도 10% 이상 향상되어 태양광 인버터, 에너지 저장 시스템, 무정전 전원 설비(UPS: Uninterruptible Power Supply System) 등 산업용 애플리케이션과 다양한 전자 제품에 적용될 수 있다.

특히, 이번 신제품 중 MMQ60R044RFTH는 44mΩ의 낮은 온저항 특성을 가지고 있어 높은 에너지 효율성과 신뢰성이 요구되는 전기차 충전기와 서버에 최적화되어 있다. 시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 2023~2026년 실리콘 모스펫 시장은 하이브리드 및 전기차와 서버 부문에서 매년 각각 11%, 7%가량 성장할 것으로 예측된다.

매그나칩 김영준 부회장은 “이번에 600V SJ MOSFET 시리즈를 출시한 데 이어 올해 하반기에는 고속 바디 다이오드를 탑재한 650V와 700V SJ MOSFET 신제품을 추가적으로 공개할 계획이다”라며, “고객과 시장의 요구를 만족시키는 고성능 차세대 파워 솔루션을 지속적으로 공급하여 고객 시장 확대에 기여할 것”이라고 말했다.

 

 


* 온저항(RDS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

 

600V SJ MOSFET 시리즈

New Family of 600V SJ MOSFET Products

 

관련 링크

파워솔루션 > SJ MOSFETs > 600V

 

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     매그나칩, 고속 바디 다이오드 탑재한 600V SJ MOSFET 시리즈 출시

–  PDFN56 듀얼 패키지로 제품 소형화 및 낮은 온저항 달성

 

2023년 3월 21일, 매그나칩반도체 유한회사(“매그나칩”) (대표이사 김영준, NYSE:MX)는 전기차 모터의 전동식 워터펌프와 오일펌프에 탑재되는 PDFN56 듀얼 패키징 40V 1)MXT MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)를 본격적으로 양산하기 시작했다고 밝혔다.

 

매그나칩 전기차용 PDFN56 듀얼 패키징 40V MXT MOSFET
매그나칩 전기차용 PDFN56 듀얼 패키징 40V MXT MOSFET

 

현재 양산 중인 40V MXT MOSFET(제품명: AMDUA040N070RH)에는 PDFN(Power Dual Flat No-lead)56 듀얼 패키지가 적용되어 싱글 패키지 두 개를 탑재했을 때와 비교해 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board)에서 차지하는 공간이 50% 정도 줄었다. 이로 인해, 애플리케이션의 콤팩트한 설계가 가능해지고 전동식 워터펌프(EWP: Electric Water Pump)와 오일펌프(EOP: Electric Oil Pump)뿐만 아니라 파워시트모듈(PSM: Power Seat Module)과 같은 다양한 전기차 애플리케이션에 사용될 수 있다.

AMDUA040N070RH는 PDFN56 듀얼 패키지를 통해 구현되는 낮은 2)온저항(RDS(on)) 특성으로 전력 손실이 줄어들어 애플리케이션을 효율적이고 안정적으로 제어할 수 있다. 또한, 이 MOSFET 제품은 최적화된 코어 셀과 칩 종단부 설계로 AEC-Q101 차량용 반도체 신뢰성 기준을 충족하면서 그 성능과 안정성을 인정받았다.

시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 하이브리드 및 전기차용 Si MOSFET 시장은 2023년에서 2026년까지 매년 11% 성장할 것으로 예측된다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 2008년부터 파워 솔루션 영역에서 기술 역량을 강화하면서 고성능 MOSFET 제품을 시장에 공급해왔다.”라며, “앞으로도 혁신적인 전력 관리 반도체 솔루션을 지속적으로 개발하여 성장하고 있는 친환경 애플리케이션의 수요를 만족시킬 것”이라고 말했다.

 

 


1)MXT MOSFET(Magnachip eXtreme Trench MOSFET): LV MOSFET과 MV MOSFET(12V to 200V)를 포함한 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군

2)온저항(RDS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

 

관련 링크

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 40V

 

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   매그나칩, 전기차용 PDFN56 듀얼 패키징 40V MXT MOSFET 본격 양산

2023년 3월 2일, 매그나칩반도체 유한회사(“매그나칩”) (대표이사 김영준, NYSE:MX)는 슈퍼 쇼트 채널 기술(Super-Short Channel) 기반의 스마트폰 배터리 보호 회로용 1)MXT MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 2종을 출시했다고 밝혔다.

 

매그나칩의 슈퍼 쇼트 채널 기반 스마트폰 배터리 보호회로용 MXT MOSFET 2종
매그나칩의 슈퍼 쇼트 채널 기반 스마트폰 배터리 보호회로용 MXT MOSFET 2종

 

슈퍼 쇼트 채널은 MOSFET이 동작할 때 소스와 드레인 사이의 채널 길이를 획기적으로 줄여 2)온저항과 전력 손실을 낮추는 매그나칩의 최신 설계 기술을 말한다. 매그나칩은 이번에 공개된 MDWC12D028ERH(12V MOSFET)과 MDWC24D031ERH(24V MOSFET)에 자체 개발한 슈퍼 쇼트 채널 기술을 도입했다.

슈퍼 쇼트 채널 기술로 이번 신제품 크기가 이전 세대 제품 대비 20%가량 작아지고, 온저항은 MDWC12D028ERH의 경우 40%, MDWC24D031ERH은 24% 감소했다. 이렇게 제품 특성이 개선되면서 배터리 충·방전 시 전력 손실이 줄어들고 고속 충전 모드에서도 낮은 온도가 유지될 수 있다.

2023년 하반기, 매그나칩은 슈퍼 쇼트 채널 기술을 기반으로 하여 스마트 워치, 이어폰 등과 같은 웨어러블 기기의 소형 배터리에 적용되는 콤팩트하고 효율성 높은 MXT MOSFET 제품을 출시할 계획이다.

매그나칩 김영준 부회장은 “새롭게 개발된 슈퍼 쇼트 채널 기술로 이번에 출시된 MXT MOSFET의 제품 성능이 한 단계 진화했다”라며, “앞으로도 끊임없는 기술 혁신을 통해 모바일 기기 시장의 다양하고 변화하는 요구 사항을 충족하는 프리미엄 전력 반도체 솔루션을 제공할 것”이라고 말했다.

 

 


1)MXT MOSFET(Magnachip eXtreme Trench MOSFET): LV MOSFET과 MV MOSFET(12V to 200V)를 포함한 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군

2)온저항(RDS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

 

관련 링크

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 12V

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 24V

 

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   매그나칩, 슈퍼 쇼트 채널 기반 스마트폰 배터리 보호회로용 MXT MOSFET 2종 공개

– 매그나칩의 8세대 150V MXT MOSFET은 개선된 온저항 특성과 TOLL 패키지로 모터 컨트롤러와 배터리 관리 시스템을 효율적으로 제어

 

2022년 12월 29일, 매그나칩반도체 유한회사(“매그나칩”) (대표이사 김영준, NYSE:MX)는 경전기차(LEV) 모터 컨트롤러와 배터리 관리 시스템(BMS)에 특화된 8세대 150V 1)MXT MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)를 출시했다고 밝혔다.

전력 기기에서 전력 소모량 절감과 제품 안정성 개선을 위해 에너지 효율을 높이는 것은 매우 중요하다. 이번에 출시된 MDT15N054PTRH는 매그나칩의 8세대 Trench MOSFET 기술을 적용하여 이전 세대 제품과 비교해 2)온저항을 28% 낮추었다. 그리고, 코어 셀과 칩 종단부 설계를 개선하여 3)게이트 총 전하량 증가 없이 우수한 성능 지수(Figure of Merit)를 달성할 수 있게 되었다.

또한, Surface Mount Device 타입의 TOLL (TO-Leadless) 패키지를 적용하여 제품 크기를 줄이고 열 방출 기능을 개선했다. 그리고, 빠른 스위칭으로 에너지 효율을 크게 향상시켜 높은 파워 밀도를 구현했으며, 최대 -55~175℃ 접합 온도와 우수한 애벌런치 내구성을 갖추어 경전기차 모터 컨트롤러와 배터리 관리 시스템에 최적화되어 있다.

매그나칩 김영준 부회장은 “매그나칩은 2008년을 시작으로 모터 컨트롤러와 배터리 관리 시스템에 탑재되는 40여 종의 MOSFET을 출시했고, 2007년부터는 LEV 애플리케이션 시장을 주요 타깃으로 하여 제품을 개발해오고 있다.”라며, “앞으로도 시장의 다양한 기술적 요구 사항에 부합되는 혁신적인 고성능 MOSFET 제품을 계속해서 공급해 나갈 것”이라고 말했다.

 

MDT15N054PTRH 제품 특징

  • 낮은 온저항 및 스위칭 손실
  • 우수한 열 방출 능력
  • -55℃~최대 175℃의 접합 온도 보장
  • 경전기차 모터 컨트롤러 및 배터리 관리 시스템, 스위치 모드 전원 장치(SMPS)등 광범위한 애플리케이션에 적용 가능

 

매그나칩, 경전기차용 8세대 150V MXT MOSFET 공개
매그나칩, 경전기차용 8세대 150V MXT MOSFET 공개

 

 


1)MXT MOSFET(Magnachip eXtreme Trench MOSFET): LV MOSFET과 MV MOSFET을 포함한 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군

2)온저항(RDS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

3)게이트 총 전하량(Qg): MOSFET을 ON 동작시키기 위해 게이트 전극에 필요한 전하량

 

관련 링크

파워솔루션 > MXT MOSFETs > 150V

 

매그나칩반도체

매그나칩은 통신, IoT, 가전, 컴퓨팅, 산업, 자동차 등의 애플리케이션에 탑재되는 아날로그 및 혼성신호 반도체를 설계·생산하고, 전 세계 고객들에게 표준 규격에 맞는 다양한 솔루션을 제공합니다. 40여 년 동안, 매그나칩은 엔지니어링, 설계 및 제조 공정 영역에서 광범위한 전문 지식을 축적해 왔고, 약 1,100건의 특허를 보유하거나 출원 중입니다. 더 자세한 정보는 www.magnachip.com/kr 에서 확인할 수 있습니다. 매그나칩 웹사이트에 기재된 정보나 매그나칩 웹사이트를 통해서 획득한 정보는 이 보도 자료에 포함되지 않습니다.

 

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   매그나칩, 경전기차용 8세대 150V MXT MOSFET 공개

2022년 11월 15일, 매그나칩반도체 유한회사(“매그나칩”) (대표이사 김영준, NYSE:MX)는 OLED 디스플레이를 탑재한 IT 기기용 전력 관리 IC(Power Management Integrated Circuit, PMIC)를 첫 출시 했다고 밝혔다.

 

매그나칩, 첫 번째 OLED IT 기기용 전력 관리 IC 출시
매그나칩, 첫 번째 OLED IT 기기용 전력 관리 IC 출시

 

전력 관리 IC는 시스템에 필요한 전원을 안정적으로 공급하는 역할을 하는 핵심 부품으로 노트북과 태블릿 같은 모바일 IT 기기에서는 전력 관리의 효율성에 따라 배터리 수명이 결정되기 때문에 전력 관리 IC의 역할이 매우 중요하다.

이번에 출시된 전력 관리 IC에는 매그나칩의 고도로 통합된 파워 IC 기술이 적용되었다. I2C(Inter-Integrated Circuit)를 통한 전력 관리 IC와 시스템 간 통신으로 출력 전압 조정(Output Voltage Control), 블록별 On/Off, 전압 출력 시간 및 순서 조절, 보호회로 동작 표시, 출력 주파수 등을 제어하여 전체적인 연결성을 높이고 효과적인 전력 관리가 가능해졌다.

이번 제품에서 가장 주목할 점은 빠른 과도 응답 특성(Fast Transient Response)이다. 이 특성은 화면 전환이 빠른 영상에는 높은 주사율을 적용하고 화면 전환이 느리거나 변화가 적은 영상에는 낮은 주사율을 적용하는 디스플레이의 가변 주사율 기능을 지원한다. 이 기능으로 전력 소모는 줄어들면서 60Hz~240Hz의 주사율로 높은 품질의 게임 및 특수 영상이 자연스럽게 재생될 수 있다.

또한, 디스플레이 전원 회로 시스템의 구성이 간단해지고 콤팩트해졌다. 소스 드라이버와 게이트 드라이버에 전력을 공급하는 부스트 레귤레이터 1개, LDO(Low-dropout) 레귤레이터 1개, 기준 전압 연산 증폭기(Op-Amp) 2개 및 마이너스 전압 LDO 레귤레이터 3개, 그리고 타이밍 컨트롤러에 전원을 공급하는 전압 강하용 고전류 벅 레귤레이터 3개와 감마 버퍼용 연산 증폭기 2개가 이번 제품에 내장되었다. 그리고, 과전압 보호(Over Voltage Protection), 단락 회로 보호(Short Circuit Protection) 및 과열 보호 기능(thermal shutdown), 저전압 차단 기능(Under Voltage Lockout), 과전류 감지(Over Current Detection) 및 차단 기능(Over Current Shutdown) 그리고 클램프 회로 내장 등 다양한 보호 기능으로 제품의 안정성도 높였다.

시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 노트북용 OLED 패널 출하량은 2022년 약 630만 대에서 2027년에는 약 3,920만 대로 매년 44.3% 성장할 것으로 보인다. 또한, 태블릿 PC용 OLED 패널 출하량은 2022년 390만 대에서 2027년 2,420만 대로 증가할 것으로 예측된다.

매그나칩 김영준 부회장은 “IT 기기의 OLED 적용 영역이 계속해서 늘어날 것으로 전망된다”라며, “매그나칩은 변화하는 시장 수요와 기술적 요구사항에 대응하여 IT 애플리케이션에 적용되는 프리미엄 전력 관리 IC 제품군을 확장해 나갈 것”이라고 말했다.

 

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   매그나칩, 첫 번째 OLED IT 기기용 전력 관리 IC 출시

매그나칩, 3세대 200V MV MOSFET 출시

– 200V MV MOSFET 3종 출시로 경전기차(LEV) 모터 컨트롤러 및 산업용 전원 장치 시장에서 점유율 확대 예상

 

2022년 9월 6일, 매그나칩반도체 유한회사(“매그나칩”) (대표이사 김영준, NYSE:MX)는 경전기차 모터 컨트롤러와 산업용 전원 장치에 특화된 3세대 200V MV (medium voltage) MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 3종을 출시했다고 밝혔다.

Magnachip introduces third- generation 200V MV MOSFETs
Magnachip introduces third- generation 200V MV MOSFETs

 

전력 기기에서 에너지 효율을 높이는 것은 매우 중요하다. 이번에 출시된 200V MV MOSFET은 3세대 Trench MOSFET 기술을 적용하여 2세대 100V MV MOSFET 제품과 비교해 정전 용량을 50% 줄였다. 그리고, 코어 셀과 칩 종단부 설계를 개선하여 *온저항과 **게이트 총 전하량이 낮아져 우수한 성능 지수(Figure of Merit)를 달성할 수 있게 되었다.

또한, 이번 3세대 MOSFET 제품들은 각각 Surface Mount Device 타입의 TOLL (TO-Leadless), M2PAK, 그리고 Through-hole 타입의 TO-220 패키지를 적용하여 제품 크기를 줄이고 열 방출 기능을 크게 개선했다. 그리고, 빠른 스위칭과 높은 파워 밀도를 구현하여 에너지 효율이 높아지고 -55℃부터 최대 175℃ 접합 온도를 보장하면서 우수한 애벌런치 내구성을 갖추어 높은 효율과 안정성을 요구하는 경전기차의 모터 컨트롤러 및 산업용 전원 장치에 최적화되어 있다.

시장조사업체 옴디아의 데이터에 따르면, 실리콘 모스펫 시장에서 차량용과 산업용 부문은 2020년에서 2025년까지 연평균 11.5% 및 9.6% 증가할 것으로 예측된다. 특히, 경전기차 시장은 탄소배출 감축에 대한 노력과 효율적이고 경제적인 이동 수단에 대한 수요 증가로 인해 빠르게 성장하고 있다.

매그나칩 김영준 부회장은 “차량 및 산업 분야에서 안정적이고 효율적인 전력 공급을 위한 고성능 MV MOSFET에 대한 수요가 증가하고 있다.”라며, “매그나칩은 40V에서부터 200V까지 다양한 프리미엄 MV MOSFET 제품을 지속적으로 개발하여 고객사의 제품 경쟁력을 강화하고 시장을 확대해 나갈 것”이라고 말했다.

매그나칩 3세대 200V MV MOSFET은 경전기차 모터 컨트롤러 및 산업용 전원 장치에 최적화되어 있다
매그나칩 3세대 200V MV MOSFET은 경전기차 모터 컨트롤러 및 산업용 전원 장치에 최적화되어 있다.

 

*온저항(RDS(on)): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항

**게이트 총 전하량(Qg): MOSFET을 ON 동작시키기 위해 게이트 전극에 주입이 필요한 전하량

 

제품 특징

  • 낮은 온저항 및 스위칭 손실
  • 우수한 열 방출 능력
  • -55℃~최대 175℃의 접합 온도 보장
  • 경전기차, 배터리 관리 시스템(BMS), 스위치 모드 전원 장치(SMPS), 전동 공구 등 광범위한 애플리케이션에 적용 가능

 

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파워솔루션 > MV MOSFETs > 200V

 

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   매그나칩, 3세대 200V MV MOSFET 출시

– 강력한 배터리 회로 보호 기능을 가진 24V MOSFET 신제품으로 글로벌 소형 전자 기기 배터리 시장에서 점유율 확대

 

2022년 7월 18일, 매그나칩반도체 유한회사(“매그나칩”) (대표이사 김영준, NYSE:MX)는 무선 이어폰의 배터리 회로용 24V MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)를 출시했다고 밝혔다.

이번 신제품은 도전 손실을 줄여 빠른 충전을 가능하게 하고 배터리 수명을 연장한다. 이전 세대 제품보다 코어 셀 집적도를 30% 높이고, 코어 셀과 칩 종단부 그리고 소스 패드 설계를 개선하여 온저항(RDS(on): MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항)은 24% 감소했다. 그리고, 충·방전 시 도전 손실(conduction loss)을 낮추어 전반적인 효율성이 개선되었다. 또한, 이 제품은 충전기로부터 5V 이상의 전압과 최대 2kV의 정전기가 유입되는 것을 막도록 설계되어 있어 정전기 특성을 확보하고 배터리 회로를 안전하게 보호한다.

시장조사업체 옴디아에 따르면, 2020년에서 2026년까지 무선 이어폰 시장은 연평균 15.1% 증가할 것으로 예상된다. 현재, 이 제품은 양산 후 글로벌 이어폰 제조사의 프리미엄 무선 이어폰 배터리에 탑재되고 있다.

매그나칩 김영준 대표 이사는 “매그나칩은 올해 초 스마트폰 배터리 보호회로용 LV MOSFET 3종을 발표한 데 이어 이번에는 무선 이어폰에 탑재되는 고효율 24V MOSFET을 출시했다.”라며, “앞으로도 축적된 기술 노하우와 사업 경험을 바탕으로 VR 글라스 등 다양한 웨어러블 기기에 적용되는 24V MOSFET 제품을 출시하여 소형 전자 기기 배터리 시장을 계속해서 확대해 갈 것”이라고 말했다.

 

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파워솔루션 > MXT MOSFETs > 24V

 

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    매그나칩, 무선 이어폰 배터리 보호회로용 24V MOSFET 신제품 출시

– IGBT 신제품 출시로 글로벌 태양광 에너지 시장에서 시장점유율 확대 기대

 

2022년 6월 17일, 매그나칩반도체 유한회사(“매그나칩”) (대표이사 김영준, NYSE:MX)는 태양광 인버터에 특화된 650V 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT: Insulated-gate bipolar transistors)를 출시했다고 밝혔다.

 

매그나칩, 태양광 인버터에 특화된 650V IGBT 신제품 출시
매그나칩, 태양광 인버터에 특화된 650V IGBT 신제품 출시

 

기후변화로 인한 환경문제가 심각해지면서 탄소배출 저감을 위해 태양광과 같은 신재생에너지 보급이 전 세계적으로 확대되고 있다. 시장조사업체 옴디아의 데이터에 따르면, 2022년부터 2025년까지 전 세계 재생 에너지 시장에서 IGBT 분야는 연평균 15% 성장할 것으로 예측된다. 지난 3월, 매그나칩은 최신 필드 스톱 트렌치 (Field stop trench) 기술을 기반으로 빠른 스위칭 기능과 높은 항복 전압을 가진 650V IGBT를 개발했고, 이번 달부터 본격적인 양산에 들어간다.

이번 IGBT 신제품은 매그나칩의 최신 설계를 적용하여 이전 세대와 비교해 전류 밀도가 30% 개선되었다. 또한, 최소 5μs 이상의 단락 회로 시간을 견디도록 설계되었고, 양온도 계수 특성으로 병렬 스위칭에 최적화되어 있다. 이러한 병렬 스위칭을 통해 부하 전류와 최대 출력 전력이 함께 증가하게 된다.

또한, 이번 제품에는 고속 역병렬 다이오드가 결합되어 스위칭 속도를 높여 손실을 줄이고, 최대 175°C의 동작 온도 범위를 보장한다. 이 제품은 국제반도체표준협의기구인 JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council)의 표준 규격을 준수하여 태양광 인버터와 컨버터를 비롯한 UPS, 범용 인버터 등 엄격한 전력 등급과 높은 효율성이 요구되는 애플리케이션에 광범위하게 적용될 수 있다.

매그나칩 김영준 대표이사는 “매그나칩은 2013년 IGBT 제품을 처음으로 출시한 이후, 다양한 애플리케이션에 적용되는 고효율 제품을 개발해왔다.”며, “앞으로도 지속적인 기술 혁신을 통해 고성능 제품을 개발하고 재생 에너지 시장에 더욱 많은 발전의 기회를 제공할 것”이라고 덧붙였다.

 

매그나칩의 재생에너지용 IGBT 제품

모델명 VCES [V] IC [A] TC=100℃ 패키지
MBQ75T65P 650V 75A TO-247
MBQ40T120Q 1200V 40A TO-247

 

관련 링크

파워솔루션 – IGBT Chip for Standard Module

 

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