– 다양한 IGBT 및 1)MXT MV MOSFET 제품으로 태양광 에너지 시장에 최적화된 솔루션 제공
2024년 7월 29일, 매그나칩반도체 유한회사(대표이사 김영준, 이하 ‘매그나칩’) (NYSE:MX)는 태양광 인버터에 특화된 TO-247PLUS 패키지 1200V 75A 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor)를 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 올해 10월 양산될 계획이다.
2020년 매그나칩은 1200V 40A IGBT(MBQ40T120QFS) 제품 출시로 태양광 인버터 시장에 진입했고, 2022년에 650V 75A IGBT(MBQ75T65PEH)를 발표했다. 그리고, 이번에 매그나칩의 최신 설계기술과 공정을 적용한 1200V 75A IGBT(MBQA75T120RFS)를 공개했다.
이번 신제품은 TO-247 패키지에 비해 넓은 히트 스프레더(Heat spreader)를 가진 TO-247PLUS 패키지에 탑재되어 열 방출 효과가 개선되었다. 자사 이전 세대 IGBT에 비해 전도 손실은 14% 이상 감소하여 전력 효율이 향상되어 과부하 환경에서도 안정적인 동작이 가능해져 시스템 신뢰성을 높인다.
기존 40A IGBT 두 개를 75A 한 개 제품으로 대체할 수 있어 이 신제품을 적용하게 되면 애플리케이션의 설계 유연성도 확보된다. 고속 역병렬 다이오드로 잔존 전류를 빠르게 제거하여 스위칭 손실을 줄이면서 최대 175°C의 동작 온도 범위를 보장하는 것도 이번 제품의 주요 특징 중 하나이다. 또한, 국제반도체표준협의기구(JEDEC: Joint Electron Device Engineering Council) 표준에 따라 설계되어 태양광 인버터와 컨버터는 물론 UPS 및 범용 인버터 등 엄격한 전력 등급과 높은 효율성이 요구되는 애플리케이션에 광범위하게 사용될 수 있다.
시장조사업체 옴디아 데이터에 따르면, 재생 에너지 시장에서 디스크리트(Discrete) IGBT와 실리콘 기반 모스펫(Si MOSFET) 영역은 2024년부터 2028년까지 연평균 15% 성장할 것으로 예상된다.
매그나칩 김영준 대표이사는 “이번 신제품 출시로 태양광 에너지 애플리케이션의 기술적 요구사항을 충족하는 고성능 IGBT와 MXT MV MOSFET 제품 라인업이 한층 더 강화되었다”라며, “앞으로도 재생 에너지 시장을 타겟으로 한 혁신적인 파워 솔루션을 지속적으로 공급하여 이 영역의 성장 가능성을 확장할 것”이라고 했다.
1)MXT MV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Medium Voltage MOSFET): 매그나칩의 최첨단 Trench MOSFET 제품군 중 40V~200V MOSFET.
2)RDS(ON)：MOSFET이 ON 동작할 때, 드레인과 소스 사이의 저항.
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